Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду

A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction o...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Kozynetz, A. V., Skryshevsky, V. A.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Українська
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
_version_ 1863131292892135425
author Kozynetz, A. V.
Skryshevsky, V. A.
author_facet Kozynetz, A. V.
Skryshevsky, V. A.
author_sort Kozynetz, A. V.
baseUrl_str https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai
collection OJS
datestamp_date 2019-04-14T18:27:41Z
description A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction of the dark current. Optimal parameters of this structure (the barrier height and position in the space charge region) are determined in the framework of the diode theory approximation.
doi_str_mv 10.15407/ujpe60.07.0620
first_indexed 2025-10-02T01:16:08Z
format Article
id ujp2-article-2019211
institution Ukrainian Journal of Physics
keywords_txt_mv keywords
language English
Ukrainian
last_indexed 2025-10-02T01:16:08Z
publishDate 2019
publisher Publishing house "Academperiodika"
record_format ojs
spelling ujp2-article-20192112019-04-14T18:27:41Z Theoretical Analysis of the Efficiency of Silicon Solar Cells with Amorphized Layers in the Space Charge Region Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду Kozynetz, A. V. Skryshevsky, V. A. сонячний елемент кремнiєвий n –p-перехiд ефективнiсть аморфiзований шар iнфрачервоне поглинання solar cell silicon n –p junction efficiency amorphized layer infrared absorption - A possibility to enhance the efficiency of silicon solar cells by creating an amorphized barrier structure in the space charge region has been demonstrated. The positive effect can be achieved owing to the absorption of infrared photons with energies lower than the silicon band gap and a reduction of the dark current. Optimal parameters of this structure (the barrier height and position in the space charge region) are determined in the framework of the diode theory approximation. В роботi показано можливiсть пiдвищення ефективностi монокристалiчних кремнiєвих сонячних елементiв внаслiдок створення аморфiзованої бар’єрної структури в областi просторового заряду. Позитивний ефект можна досягти за рахунок додаткового поглинання iнфрачервоних квантiв з енергiєю меншою, нiж ширина забороненої зони та зменшення темнового струму. В наближеннях дiодної теорiї визначено оптимальнi параметри такої структури (висота бар’єра, положення в областi просторового заряду). Publishing house "Academperiodika" 2019-01-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211 10.15407/ujpe60.07.0620 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 7 (2015); 620 Український фізичний журнал; Том 60 № 7 (2015); 620 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.07 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211/1184 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211/1185 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
spellingShingle сонячний елемент
кремнiєвий n –p-перехiд
ефективнiсть
аморфiзований шар
iнфрачервоне поглинання
Kozynetz, A. V.
Skryshevsky, V. A.
Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title_alt Theoretical Analysis of the Efficiency of Silicon Solar Cells with Amorphized Layers in the Space Charge Region
title_full Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title_fullStr Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title_full_unstemmed Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title_short Теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
title_sort теоретичний аналiз ефективностi кремнiєвих сонячних елементiв з аморфiзованими шарами в областi просторового заряду
topic сонячний елемент
кремнiєвий n –p-перехiд
ефективнiсть
аморфiзований шар
iнфрачервоне поглинання
topic_facet сонячний елемент
кремнiєвий n –p-перехiд
ефективнiсть
аморфiзований шар
iнфрачервоне поглинання
solar cell
silicon n –p junction
efficiency
amorphized layer
infrared absorption
-
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019211
work_keys_str_mv AT kozynetzav theoreticalanalysisoftheefficiencyofsiliconsolarcellswithamorphizedlayersinthespacechargeregion
AT skryshevskyva theoreticalanalysisoftheefficiencyofsiliconsolarcellswithamorphizedlayersinthespacechargeregion
AT kozynetzav teoretičnijanalizefektivnostikremniêvihsonâčnihelementivzamorfizovanimišaramivoblastiprostorovogozarâdu
AT skryshevskyva teoretičnijanalizefektivnostikremniêvihsonâčnihelementivzamorfizovanimišaramivoblastiprostorovogozarâdu