Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the f...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131295032279040 |
|---|---|
| author | Pagava, T. A. Chkhartishvili, L. S. Maisuradze, N. I. Beridze, M. G. Khocholava, D. Z. |
| author_facet | Pagava, T. A. Chkhartishvili, L. S. Maisuradze, N. I. Beridze, M. G. Khocholava, D. Z. |
| author_sort | Pagava, T. A. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2019-04-11T08:03:46Z |
| description | The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the formation of highly conducting inclusions in the crystal bulk with ohmic junctions at their interface with the crystal matrix. At some temperatures of the isochronal annealing, the specimens demonstrated an anomalously high electron scattering, which can be reduced by the monochromatic IR illumination with a given photon energy. The illumination deionizes electrostatically interacting deep secondary defects, which are formed in the course of isochronal annealing around the highly conducting inclusions, and screen them. A- and E-centers are shown to dominate among the screening defects. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe60.06.0521 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:16:10Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2019222 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-02T01:16:10Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20192222019-04-11T08:03:46Z Influence of IR Illumination on Conduction Electron Scattering in Crystals Irradiated with 25-MeV Protons Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si Pagava, T. A. Chkhartishvili, L. S. Maisuradze, N. I. Beridze, M. G. Khocholava, D. Z. кремний n-типа облучение протонами метод фото-Холл-эффекта n-silicon proton irradiation photo-Hall effect - The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the formation of highly conducting inclusions in the crystal bulk with ohmic junctions at their interface with the crystal matrix. At some temperatures of the isochronal annealing, the specimens demonstrated an anomalously high electron scattering, which can be reduced by the monochromatic IR illumination with a given photon energy. The illumination deionizes electrostatically interacting deep secondary defects, which are formed in the course of isochronal annealing around the highly conducting inclusions, and screen them. A- and E-centers are shown to dominate among the screening defects. Исследуемые образцы монокристаллов n-Si с концентрацией электронов N = 6 × 1013 cм−3 облучались протонами с энергией 25 МэВ при 300 К. Для исследования применяли метод фото-Холл-эффекта. В облученных образцах наблюдается аномально высокое значение холловской подвижности электронов, что объясняется образованием в объеме кристалла высокопроводящих включений с омическим переходом на границе с матрицей кристалла. При некоторых температурах изохронного отжига наблюдается аномально высокое рассеяние электронов, которое уменьшается монохроматической ИК подсветкой с заданной энергией фотонов. Подсветка деионизирует электростатически взаимодействующие вторичные глубокие дефекты, которые образуются в процессе изохронного отжига вокруг высокопроводящих включений и экранируют их. Показано, что такими экранирующими дефектами являются в основном A- и E-центры. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-17 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 10.15407/ujpe60.06.0521 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 6 (2015); 521 Український фізичний журнал; Том 60 № 6 (2015); 521 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.06 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222/1201 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222/1202 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| spellingShingle | кремний n-типа облучение протонами метод фото-Холл-эффекта Pagava, T. A. Chkhartishvili, L. S. Maisuradze, N. I. Beridze, M. G. Khocholava, D. Z. Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title | Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title_alt | Influence of IR Illumination on Conduction Electron Scattering in Crystals Irradiated with 25-MeV Protons |
| title_full | Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title_fullStr | Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title_full_unstemmed | Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title_short | Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si |
| title_sort | влияние ик подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 мэв кристаллах n-si |
| topic | кремний n-типа облучение протонами метод фото-Холл-эффекта |
| topic_facet | кремний n-типа облучение протонами метод фото-Холл-эффекта n-silicon proton irradiation photo-Hall effect - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 |
| work_keys_str_mv | AT pagavata influenceofirilluminationonconductionelectronscatteringincrystalsirradiatedwith25mevprotons AT chkhartishvilils influenceofirilluminationonconductionelectronscatteringincrystalsirradiatedwith25mevprotons AT maisuradzeni influenceofirilluminationonconductionelectronscatteringincrystalsirradiatedwith25mevprotons AT beridzemg influenceofirilluminationonconductionelectronscatteringincrystalsirradiatedwith25mevprotons AT khocholavadz influenceofirilluminationonconductionelectronscatteringincrystalsirradiatedwith25mevprotons AT pagavata vliânieikpodsvetkinarasseânieélektronovprovodimostivoblučennyhprotonamisénergiej25mévkristallahnsi AT chkhartishvilils vliânieikpodsvetkinarasseânieélektronovprovodimostivoblučennyhprotonamisénergiej25mévkristallahnsi AT maisuradzeni vliânieikpodsvetkinarasseânieélektronovprovodimostivoblučennyhprotonamisénergiej25mévkristallahnsi AT beridzemg vliânieikpodsvetkinarasseânieélektronovprovodimostivoblučennyhprotonamisénergiej25mévkristallahnsi AT khocholavadz vliânieikpodsvetkinarasseânieélektronovprovodimostivoblučennyhprotonamisénergiej25mévkristallahnsi |