Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the f...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | Pagava, T. A., Chkhartishvili, L. S., Maisuradze, N. I., Beridze, M. G., Khocholava, D. Z. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
-
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
за авторством: Pagava, T. A., та інші
Опубліковано: (2018) -
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Мощный линейный ускоритель электронов с энергией до 40 МэВ
за авторством: Айзацкий, Н.И., та інші
Опубліковано: (2008) -
Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋x, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ
за авторством: Федотов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2002) -
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)