Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the f...
Gespeichert in:
| Datum: | 2019 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Pagava, T. A., Chkhartishvili, L. S., Maisuradze, N. I., Beridze, M. G., Khocholava, D. Z. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Мощный линейный ускоритель электронов с энергией до 40 МэВ
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋x, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ
von: Федотов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Федотов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ядерно-физический комплекс на основе линейного ускорителя электронов с энергией до 100 МэВ
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Разработка сверхпроводящих магнитных линз для фокусировки пучков легких ионов с энергией порядка 10 МэВ
von: Бутенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Бутенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Изохронный отжиг сплавов Zr-La, Zr-Dy и Zr-Gd, облученных 2 МэВ электронами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Изменение свойств образцов Nd-Fe-B-магнитов при облучении электронным пучком с энергией 23 МэВ
von: Бовда, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Бовда, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Анизотропный характер дефектов и процессы возврата в сдвойникованных кристаллах YBa2Cu3O7-x, облученных электронами с энергией 0,5…2,5 МэВ
von: Петрусенко, Ю.Т., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Петрусенко, Ю.Т., et al.
Veröffentlicht: (2010)
100 кВт линейный ускоритель модульного типа для промышленных применений с энергией электронов 7,5…10 МэВ
von: Ауслендер, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ауслендер, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2010)
“Фото не вийшло” (З етюдів про фотографії архіву Косачів)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2012)
“…Ти дав колючу гілочку тернову…” (з етюдів про фотографії з архіву Косачів)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2008)
Притягальна сила дитячих облич (з етюдів про фотографії з архіву Косачів)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2007)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2007)
“Се очі з іншої країни...” (З етюдів про фотографії архіву Косачів)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мірошниченко, Л.
Veröffentlicht: (2010)
Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ
von: Федотов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Федотов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Влияние электронного облучения с энергией 0,5 МэВ на деформацию сплава Э110 в интервале температур 10...300° С
von: Дубинко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Дубинко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Изменение магнитных свойств Sm₂O₁₇-магнитов при воздействии 10 МэВ-электронного пучка
von: Бовда, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бовда, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Определение дозы излучения двухканальным спектрометром в диапазоне энергий 0,005…1 МэВ
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Теоретический расчет среднего пробега электронов энергий до 10 МэВ в полимерном композите
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Павленко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Магнитооптическая система рециркулятора SALO с непрерывной регулировкой энергии в диапазоне 60…740 МэВ
von: Гук, И.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Гук, И.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Расчет системы параллельного переноса пучка электронов в канале на 30 МэВ ускорителя ЛУЭ-300
von: Хвастунов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Хвастунов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Численное моделирование динамики частиц в канале линейного резонансного ускорителя дейтронов на энергию 23 МэВ
von: Воронко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Воронко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
von: Pagava, T.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Pagava, T.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ СИЛОВЫХ И СКОРОСТНЫХ ПОКАЗАТЕЛЕЙ ЛИНЕЙНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКОГО И ИНДУКЦИОННОГО ТИПОВ
von: Болюх , В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Болюх , В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of IR illumination on conduction electron scattering in crystals irradiated with 25-MeV protons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Hall-effect study of disordered regions in proton-irradiated n-Si crystals
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2013)
К учету подсветки спутника светом, рассеянным поверхностью Земли
von: Братийчук, М.В., et al.
Veröffentlicht: (1987)
von: Братийчук, М.В., et al.
Veröffentlicht: (1987)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Ähnliche Einträge
-
Исследование разупорядоченных областей в облученных протонами кристаллах n-Si с помощью холловских измерений
von: Pagava, T. A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Мощный линейный ускоритель электронов с энергией до 40 МэВ
von: Айзацкий, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП YBa₂Cu₃O₇₋x, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ
von: Федотов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)