Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури

• Видавець: Publishing house "Academperiodika"
• Дата: 2019
• Автори: Kondryuk, D. V., Kramar, V. M.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: наногетероструктура; квантова яма; екситон; екситон-фононна взаємодiя; nanoheterostructure; quantum well; exciton; exciton-phonon coupling; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019238

The energy of transition into the ground excitonic state for a quasi-two-dimensional (nanofilm) semiconductor nanoheterostructure with single quantum well and its dependences on the thickness, temperature, and composition of the barrier medium are calculated in the dielectric continuum approximation...