Buchumschlag

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури

The energy of transition into the ground excitonic state for a quasi-two-dimensional (nanofilm) semiconductor nanoheterostructure with single quantum well and its dependences on the thickness, temperature, and composition of the barrier medium are calculated in the dielectric continuum approximation...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	Kondryuk, D. V., Kramar, V. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch Ukrainisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Schlagworte:	наногетероструктура квантова яма екситон екситон-фононна взаємодiя
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019238
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
von: D. V. Kondriuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: Korotyeyev, V.V.
Veröffentlicht: (2015)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
von: Litovchenko, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
von: Kondryuk, D.V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
von: Сизов, Ф.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
von: V. V. Korotyeyev
Veröffentlicht: (2015)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
von: D. V. Kondryuk, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
von: Tkach, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
von: Holovatsky, V.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces
von: Dmitruk, N.L., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
von: Karimov, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Квантово-розмiрний ефект та перколяцiя екситонiв у поруватих i неупорядкованих плiвках на основi сферичних елементiв типу “ядро/оболонка”
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Хартрi–фокiвська задача електронно-дiркової пари в квантовiй ямi GaN
von: Lokot, L. E.
Veröffentlicht: (2018)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
von: Боцула, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
von: Klimovskaya, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
von: N. M. Lytovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
von: Аркуша, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
von: Abouelaoualim, D.
Veröffentlicht: (2005)

Вплив взаємного просторового положення металевої наночастинки та LH2 комплексу фотосинтетичних бактерiй на оптичнi властивостi гiбридної свiтлозбиральної структури
von: Vertsimakha, G. V.
Veröffentlicht: (2018)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
von: Vakulenko, O.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Structural changes in multilayer systems containing InxGa₁₋xAs₁₋yNy quantum wells
von: Fodchuk, I.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Alx(z)Ga1-x(z)As Variband Gunn Diodes with Different Cathode Contacts
von: Storozhenko, I. P.
Veröffentlicht: (2013)

Поляризацiйнi залежностi фотоструму в p-GaAs
von: Rasulov, V. R.
Veröffentlicht: (2019)

Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
von: Пукас, С.Я., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна на основе варизонного Alx(z)Ga1-x(z)As c различными катодными контактами
von: Стороженко, И.П.
Veröffentlicht: (2006)

Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Лазерно-стимульоване збiльшення вiдбиваючої здатностi монокристалiчного n-GaAs(100)
von: Gentsar, P. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Провiднi наностержнi в АПВ плiвках, зумовленi трансформацiєю вуглецю
von: Evtukh, A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Концентрацiйна залежнiсть ефективної маси електрона, енергiї фермi i заповнення мiнiзон у легованiй квантовiй ямi InAs/AlSb
von: Baymatov, P. J., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
von: Савкiна, Р.К., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Мiнiзонна електропровiднiсть у надґратках сферичних квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs
von: Boichuk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2018)