Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани

• Дата: 2019
• Автори: Sologub, S. V., Bordenjuk, I. V., Tegenkamp, C., Pfn¨ur, H.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: поверхневе розсiювання носiїв струму; поверхневi електроннi стани; електронно-дiрковi перекидання; епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту; перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”; ефект Рашби; магнiтотранспорт; surface scattering of charge carriers; surface electronic states; electron-hole Umklapp processes; bismuth epitaxial nanofilms; semimetal-semiconductor transition; Rashba effect; magnetotransport phenomenon; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized su...