Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized su...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019271 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192712019-04-11T08:02:37Z Surface Scattering of Charge Carriers and Surface Electronic States Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани Sologub, S. V. Bordenjuk, I. V. Tegenkamp, C. Pfn¨ur, H. поверхневе розсiювання носiїв струму поверхневi електроннi стани електронно-дiрковi перекидання епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту перехiд “напiвметал–напiвпровiдник” ефект Рашби магнiтотранспорт surface scattering of charge carriers surface electronic states electron-hole Umklapp processes bismuth epitaxial nanofilms semimetal-semiconductor transition Rashba effect magnetotransport phenomenon - Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized surface electronic states in Bi(111) epitaxial nanofilms with the atomically clean surface or the surface covered with magnetic and nonmagnetic adatoms to low coverages are discussed. Наведений огляд експериментальних дослiджень розсiювання носiїв струму на атомночистих i вкритих моношарами водню (дейтерiю) поверхнях Mo(110) i W(110), яке вiдбувається за участю поверхневих електронних станiв, а також механiзмiв розсiювання носiїв струму спiн-поляризованих поверхневих електронних станiв епiтаксiйних наноплiвок Bi(111) з атомночистою i вкритою надмалими покриттями магнiтних i немагнiтних адатомiв поверхнею. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271 10.15407/ujpe60.02.0120 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 120 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 120 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271/1273 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271/1274 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2019-04-11T08:02:37Z |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
поверхневе розсiювання носiїв струму поверхневi електроннi стани електронно-дiрковi перекидання епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту перехiд “напiвметал–напiвпровiдник” ефект Рашби магнiтотранспорт |
| spellingShingle |
поверхневе розсiювання носiїв струму поверхневi електроннi стани електронно-дiрковi перекидання епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту перехiд “напiвметал–напiвпровiдник” ефект Рашби магнiтотранспорт Sologub, S. V. Bordenjuk, I. V. Tegenkamp, C. Pfn¨ur, H. Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| topic_facet |
поверхневе розсiювання носiїв струму поверхневi електроннi стани електронно-дiрковi перекидання епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту перехiд “напiвметал–напiвпровiдник” ефект Рашби магнiтотранспорт surface scattering of charge carriers surface electronic states electron-hole Umklapp processes bismuth epitaxial nanofilms semimetal-semiconductor transition Rashba effect magnetotransport phenomenon - |
| format |
Article |
| author |
Sologub, S. V. Bordenjuk, I. V. Tegenkamp, C. Pfn¨ur, H. |
| author_facet |
Sologub, S. V. Bordenjuk, I. V. Tegenkamp, C. Pfn¨ur, H. |
| author_sort |
Sologub, S. V. |
| title |
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_short |
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_full |
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_fullStr |
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_full_unstemmed |
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_sort |
поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани |
| title_alt |
Surface Scattering of Charge Carriers and Surface Electronic States |
| description |
Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized surface electronic states in Bi(111) epitaxial nanofilms with the atomically clean surface or the surface covered with magnetic and nonmagnetic adatoms to low coverages are discussed. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271 |
| work_keys_str_mv |
AT sologubsv surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates AT bordenjukiv surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates AT tegenkampc surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates AT pfnurh surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates AT sologubsv poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani AT bordenjukiv poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani AT tegenkampc poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani AT pfnurh poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:19Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:19Z |
| _version_ |
1851765202079449088 |