Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани

Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized su...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Sologub, S. V., Bordenjuk, I. V., Tegenkamp, C., Pfn¨ur, H.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Українська
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
_version_ 1863131305586196480
author Sologub, S. V.
Bordenjuk, I. V.
Tegenkamp, C.
Pfn¨ur, H.
author_facet Sologub, S. V.
Bordenjuk, I. V.
Tegenkamp, C.
Pfn¨ur, H.
author_sort Sologub, S. V.
baseUrl_str https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai
collection OJS
datestamp_date 2019-04-11T08:02:37Z
description Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized surface electronic states in Bi(111) epitaxial nanofilms with the atomically clean surface or the surface covered with magnetic and nonmagnetic adatoms to low coverages are discussed.
doi_str_mv 10.15407/ujpe60.02.0120
first_indexed 2025-10-02T01:16:19Z
format Article
id ujp2-article-2019271
institution Ukrainian Journal of Physics
keywords_txt_mv keywords
language English
Ukrainian
last_indexed 2025-10-02T01:16:19Z
publishDate 2019
publisher Publishing house "Academperiodika"
record_format ojs
spelling ujp2-article-20192712019-04-11T08:02:37Z Surface Scattering of Charge Carriers and Surface Electronic States Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани Sologub, S. V. Bordenjuk, I. V. Tegenkamp, C. Pfn¨ur, H. поверхневе розсiювання носiїв струму поверхневi електроннi стани електронно-дiрковi перекидання епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту перехiд “напiвметал–напiвпровiдник” ефект Рашби магнiтотранспорт surface scattering of charge carriers surface electronic states electron-hole Umklapp processes bismuth epitaxial nanofilms semimetal-semiconductor transition Rashba effect magnetotransport phenomenon - Experimental researches of the charge carrier scattering at Mo(110) and W(110) surfaces atomically clean or covered with a hydrogen (deuterium) monolayer with the participation of surface electronic states are considered. In addition, the scattering mechanisms of charge carriers in spin-polarized surface electronic states in Bi(111) epitaxial nanofilms with the atomically clean surface or the surface covered with magnetic and nonmagnetic adatoms to low coverages are discussed. Наведений огляд експериментальних дослiджень розсiювання носiїв струму на атомночистих i вкритих моношарами водню (дейтерiю) поверхнях Mo(110) i W(110), яке вiдбувається за участю поверхневих електронних станiв, а також механiзмiв розсiювання носiїв струму спiн-поляризованих поверхневих електронних станiв епiтаксiйних наноплiвок Bi(111) з атомночистою i вкритою надмалими покриттями магнiтних i немагнiтних адатомiв поверхнею. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271 10.15407/ujpe60.02.0120 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 120 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 120 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271/1273 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271/1274 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
spellingShingle поверхневе розсiювання носiїв струму
поверхневi електроннi стани
електронно-дiрковi перекидання
епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту
перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”
ефект Рашби
магнiтотранспорт
Sologub, S. V.
Bordenjuk, I. V.
Tegenkamp, C.
Pfn¨ur, H.
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title_alt Surface Scattering of Charge Carriers and Surface Electronic States
title_full Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title_fullStr Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title_full_unstemmed Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title_short Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
title_sort поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
topic поверхневе розсiювання носiїв струму
поверхневi електроннi стани
електронно-дiрковi перекидання
епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту
перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”
ефект Рашби
магнiтотранспорт
topic_facet поверхневе розсiювання носiїв струму
поверхневi електроннi стани
електронно-дiрковi перекидання
епiтаксiйнi наноплiвки вiсмуту
перехiд “напiвметал–напiвпровiдник”
ефект Рашби
магнiтотранспорт
surface scattering of charge carriers
surface electronic states
electron-hole Umklapp processes
bismuth epitaxial nanofilms
semimetal-semiconductor transition
Rashba effect
magnetotransport phenomenon
-
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019271
work_keys_str_mv AT sologubsv surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates
AT bordenjukiv surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates
AT tegenkampc surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates
AT pfnurh surfacescatteringofchargecarriersandsurfaceelectronicstates
AT sologubsv poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani
AT bordenjukiv poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani
AT tegenkampc poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani
AT pfnurh poverhneverozsiûvannânosiívstrumuipoverhnevielektronnistani