Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)

• Дата: 2019
• Автор: Afanasieva, T. V.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Теми: adsorption; diffusion; semiconductor surface; oxidation; -; адсорбцiя; дифузiя; поверхня напiвпровiдника; окиснення
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. Th...