Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. Th...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019272 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20192722019-04-11T08:02:37Z Study of the Interaction of Atoms of the IV- and V-th Groups with Si(001) and Ge(001) Surfaces Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) Afanasieva, T. V. adsorption diffusion semiconductor surface oxidation - адсорбцiя дифузiя поверхня напiвпровiдника окиснення Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. The literature concerning the adsorption of atoms of the V-th group (As, Sb, Bi) and their co-adsorption with oxygen on the Si(001) surface and the diffusion of Bi addimers on the Si(001) surface and Si and Ge ad-dimers on the Ge(001) one is analyzed. The results obtained demonstrate a high capability of quantum chemistry methods to provide the unique information about the interaction between adsorbates and the semiconductor surface. Наведено результати дослiджень адсорбцiї та дифузiї атомiв елементiв IV (Si, Ge), V (As, Sb, Bi) груп на поверхнi Si(001) та Ge(001) методами квантової хiмiї. Дослiджено механiзм впливу адсорбцiї атомiв елементiв V групи на властивостi гранi (001) кремнiю. Проаналiзовано роботи, присвяченi проблемам адсорбцiї та коадсорбцiї атомiв елементiв V групи (As, Sb та Bi) та кисню на поверхнi Si(001), дифузiї аддимерiв Bi на поверхнi Si(001) та аддимерiв Si, Ge на поверхнi Ge(001). Результати дослiджень демонструють високий потенцiал методiв квантової хiмiї для отримання унiкальної iнформацiї про взаємодiю адсорбатiв з поверхнею напiвпровiдника. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272 10.15407/ujpe60.02.0130 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 130 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 130 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272/1275 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272/1276 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
adsorption diffusion semiconductor surface oxidation - адсорбцiя дифузiя поверхня напiвпровiдника окиснення |
| spellingShingle |
adsorption diffusion semiconductor surface oxidation - адсорбцiя дифузiя поверхня напiвпровiдника окиснення Afanasieva, T. V. Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| topic_facet |
adsorption diffusion semiconductor surface oxidation - адсорбцiя дифузiя поверхня напiвпровiдника окиснення |
| format |
Article |
| author |
Afanasieva, T. V. |
| author_facet |
Afanasieva, T. V. |
| author_sort |
Afanasieva, T. V. |
| title |
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| title_short |
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| title_full |
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| title_fullStr |
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| title_full_unstemmed |
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001) |
| title_sort |
дослiдження взаємодiї атомiв елементiв iv та v груп з гранями si(001), ge(001) |
| title_alt |
Study of the Interaction of Atoms of the IV- and V-th Groups with Si(001) and Ge(001) Surfaces |
| description |
Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. The literature concerning the adsorption of atoms of the V-th group (As, Sb, Bi) and their co-adsorption with oxygen on the Si(001) surface and the diffusion of Bi addimers on the Si(001) surface and Si and Ge ad-dimers on the Ge(001) one is analyzed. The results obtained demonstrate a high capability of quantum chemistry methods to provide the unique information about the interaction between adsorbates and the semiconductor surface. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272 |
| work_keys_str_mv |
AT afanasievatv studyoftheinteractionofatomsoftheivandvthgroupswithsi001andge001surfaces AT afanasievatv doslidžennâvzaêmodiíatomivelementivivtavgrupzgranâmisi001ge001 |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:46Z |
| _version_ |
1795757678012661760 |