Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. Th...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |