Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
Adsorption and diffusion processes of atoms of the IV- (Si, Ge) and V-th (As, Sb, Bi) groups on the Si(001) and Ge(001) surfaces have been simulated, by using quantum chemistry techniques. The mechanism of how the adsorption of elements of the V-th group affects the Si(001) surface is considered. Th...
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| Datum: | 2019 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
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| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019272 |
| Tags: |
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| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |