Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками

The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автор: Voskoboynikov, O.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозиторії

Ukrainian Journal of Physics