Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками

The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автор: Voskoboynikov, O.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2019273
record_format ojs
spelling ujp2-article-20192732019-04-11T08:02:37Z Broken Reflection Symmetry and Diamagnetic Coefficient of Carriers Confined in Semiconductor Lateral Quantum Dot Molecules Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками Voskoboynikov, O. quantum dot molecule semiconductor wave function modeling diamagnetic response - The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy in molecules. The description is suited to clarify the important questions of the control and the stability of the wave functions and the diamagnetic coefficient of carriers confined in molecules with broken reflection symmetry. Our simulation results demonstrate that, in a reflection symmetric (balanced) molecule, the carrier ground-state wave function is distributed equally over two potential valleys corresponding to the actual positions of the dots combined into the molecule. However, even a very small reflectional imbalance in the geometry of molecules destroys the symmetric distribution of the wave function. This causes the localization of the function in the potential valley of only one of the dots and leads to a rapid decrease of the diamagnetic coefficient. We have found that the hole wave function is more sensitive to the imbalance in the reflection symmetry than the electron wave function, and the localization effect is getting stronger, when the interdot distance in the molecule increases. У цiй роботi теоретично дослiджено вплив асиметрiї дзеркального вiдображення на локалiзацiю електрона i дiрки в самоорганiзованих латеральних молекулах з InGaAs/GaAs квантовими точками. Використовується запропонований ранiше метод вiдображення для моделювання хвильової функцiї основного стану електрона (дiрки) та їх енергiї в молекулах. Подiбний пiдхiд є зручним для з’ясування важливих питань, пов’язаних з контролем та стабiльнiстю хвильових функцiй i дiамагнiтного коефiцiєнта носiїв, обмежених в латеральних напiвпровiдникових молекулах з квантовими точками з порушеною симетрiєю вiдбиття. Нашi результати моделювання показують, що в симетричнiй (збалансованiй) молекулi хвильова функцiя основного стану носiя розподiлена порiвну мiж двома потенцiальними ямами вiдповiдно до мiсць локалiзацiї квантових точок, що утворюють молекулу. Тим не менш, навiть дуже невеликий дисбаланс (асиметрiя) дзеркального вiдображення в геометрiї молекул руйнує симетричний розподiл хвильової функцiї. Наслiдком цього є локалiзацiя хвильової функцiї у потенцiальнiй ямi тiльки однiєї з точок, що приводить до швидкого зменшення дiамагнiтного коефiцiєнта. Ми виявили, що хвильова функцiя дiрок є бiльш чутливою до дисбалансу в дзеркальному вiдображеннi, нiж хвильова функцiя електрона, i ефект локалiзацiї зростає, коли вiдстань мiж квантовими точками в молекулi збiльшується. Publishing house "Academperiodika" 2019-01-22 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273 10.15407/ujpe60.02.0141 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 60 No. 2 (2015); 141 Український фізичний журнал; Том 60 № 2 (2015); 141 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe60.02 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273/1277 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language English
topic quantum dot molecule
semiconductor
wave function
modeling
diamagnetic response
-
spellingShingle quantum dot molecule
semiconductor
wave function
modeling
diamagnetic response
-
Voskoboynikov, O.
Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
topic_facet quantum dot molecule
semiconductor
wave function
modeling
diamagnetic response
-
format Article
author Voskoboynikov, O.
author_facet Voskoboynikov, O.
author_sort Voskoboynikov, O.
title Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_short Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_full Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_fullStr Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_full_unstemmed Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_sort порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками
title_alt Broken Reflection Symmetry and Diamagnetic Coefficient of Carriers Confined in Semiconductor Lateral Quantum Dot Molecules
description The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy in molecules. The description is suited to clarify the important questions of the control and the stability of the wave functions and the diamagnetic coefficient of carriers confined in molecules with broken reflection symmetry. Our simulation results demonstrate that, in a reflection symmetric (balanced) molecule, the carrier ground-state wave function is distributed equally over two potential valleys corresponding to the actual positions of the dots combined into the molecule. However, even a very small reflectional imbalance in the geometry of molecules destroys the symmetric distribution of the wave function. This causes the localization of the function in the potential valley of only one of the dots and leads to a rapid decrease of the diamagnetic coefficient. We have found that the hole wave function is more sensitive to the imbalance in the reflection symmetry than the electron wave function, and the localization effect is getting stronger, when the interdot distance in the molecule increases.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2019
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273
work_keys_str_mv AT voskoboynikovo brokenreflectionsymmetryanddiamagneticcoefficientofcarriersconfinedinsemiconductorlateralquantumdotmolecules
AT voskoboynikovo porušenasimetriâdzerkalʹnogovidobražennâtadiamagnitnijkoeficiêntnosiívzahoplenihlateralʹniminapivprovidnikovimimolekulamizkvantovimitočkami
first_indexed 2023-03-24T08:57:46Z
last_indexed 2023-03-24T08:57:46Z
_version_ 1795757678122762240