Порушена симетрiя дзеркального вiдображення та дiамагнiтний коефiцiєнт носiїв, захоплених латеральними напiвпровiдниковими молекулами з квантовими точками

• Datum: 2019
• 1. Verfasser: Voskoboynikov, O.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2019
• Online Zugang: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019273
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The theoretical study of the reflection asymmetry impact on the electron and hole localizations in self-assembled InGaAs/GaAs semiconductor lateral quantum dot molecules is made. The previously proposed mapping method is used to simulate the ground-state electron (hole) wave function and the energy...