Buchumschlag

Особливості формування омічних контактів до n+-InN

We report about a study of the formation and current transport mechanism of ohmic contacts to n+-InN with electron concentrations of 2×1018, 8×1018, and 4×1019 cm−3. Pd/Ti/Au ohmic contacts are formed by the proposed approach of simultaneous magnetron metal deposition and in-situ temperature anneali...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2019
Hauptverfasser:	Sai, P. O., Safryuk-Romanenko, N. V., But, D. B., Cywiński, G., Boltovets, N. S., Brunkov, P. N., Jmeric, N. V., Ivanov, S. V., Shynkarenko, V. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Publishing house "Academperiodika" 2019
Online Zugang:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019292
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics

Ähnliche Einträge

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: P. O. Sai
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Методи створення і властивості омічних контактів до фосфіду індію (огляд)
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2015)

Complex index of refraction of indium nitride InN
von: J. O. Akinlami, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Complex index of refraction of indium nitride InN
von: Akinlami, J.O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
von: Стороженко, И.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
von: Berrah, S., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
von: I. P. Storozhenko, et al.
Veröffentlicht: (2022)

TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особливості механізмів утворення шаруватих індатів AᴵᴵLanInnO3n+1 (Aᴵᴵ = Sr, Ba) із систем спільнозакристалізованих нітратів
von: Тітов, Ю.О., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density
von: Sai, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
von: P. M. Romanets, et al.
Veröffentlicht: (2016)

ÐžÑ†ÐµÐ½ÐºÐ° ÑÐ¾ÑÑ‚Ð¾ÑÐ½Ð¸Ñ Ñ…Ñ€Ð¾Ð¼Ð°Ñ‚Ð¸Ð½Ð° Ð² Ð±Ð»Ð°ÑÑ‚Ð¾Ð¼ÐµÑ€Ð°Ñ… Ð¿Ð¾ÑÐ»Ðµ rÑ€Ð¸Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð¸Ñ
von: Petrushko, M. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

CÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ñ‹Ðµ Ð¿ÐµÑ€ÐµÑÑ‚Ñ€Ð¾Ð¹ÐºÐ¸ Ð² ÐºÐ»ÐµÑ‚ÐºÐ°Ñ… Ð¸ Ð¸Ñ… Ð¼ÐµÐ¼Ð±Ñ€Ð°Ð½Ð°Ñ… Ð¿Ñ€Ð¸ Ð´Ð»Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾Ð¼ Ð³Ð¸Ð¿Ð¾Ñ‚ÐµÑ€Ð¼Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¸
von: Repin, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
von: Romanets, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Some Problems of Translations of Ch. Botev&#039;s &quot;In the Inn”
von: V. A. Lavrenov
Veröffentlicht: (2002)

ÐšÐ»Ñ–Ñ‚Ð¸Ð½Ð½Ð¾-Ñ‚ÐºÐ°Ð½Ð¸Ð½Ð½Ñ– Ð¿Ñ€ÐµÐ¿Ð°Ñ€Ð°Ñ‚Ð¸ Ð² Ð»Ñ–ÐºÑƒÐ²Ð°Ð½Ð½Ñ– Ð¿ÐµÑ‡Ñ–Ð½ÐºÐ¾Ð²Ð¾Ñ— Ð¿Ð°Ñ‚Ð¾Ð»Ð¾Ð³Ñ–Ñ— Ð² ÐµÐºÑÐ¿ÐµÑ€Ð¸Ð¼ÐµÐ½Ñ‚Ñ–
von: Subbota, N. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Ð”ÐµÐ¹ÑÑ‚Ð²Ð¸Ðµ Ñ‚Ñ€Ð¸Ñ„Ñ‚Ð¾Ñ€Ð¿ÐµÑ€Ð°Ð·Ð¸Ð½Ð° Ð½Ð° Ð³ÐµÐ¼Ð¾Ð»Ð¸Ð· ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ð² Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¸Ñ… Ñ€Ð°ÑÑ‚Ð²Ð¾Ñ€Ð°Ñ… ÑÐ»ÐµÐºÑ‚Ñ€Ð¾Ð»Ð¸Ñ‚Ð¾Ð²
von: Shpakova, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ð´Ð»Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚Ð¸ Ñ…Ñ€Ð°Ð½ÐµÐ½Ð¸Ñ Ñ‚ÐºÐ°Ð½Ð¸ Ð¿Ð»Ð°Ñ†ÐµÐ½Ñ‚Ñ‹ Ð¿Ñ€Ð¸ 4oÐ¡ Ð½Ð° ÑƒÐ»ÑŒÑ‚Ñ€Ð°ÑÑ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ñƒ Ð²Ð¾Ñ€ÑÐ¸Ð½Ñ‡Ð°Ñ‚Ð¾Ð³Ð¾ Ñ…Ð¾Ñ€Ð¸Ð¾Ð½Ð°
von: Repin, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ð°Ð¼Ñ„Ð¸Ñ„Ð¸Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… ÑÐ¾ÐµÐ´Ð¸Ð½ÐµÐ½Ð¸Ð¹ Ð½Ð° Ñ‡ÑƒÐ²ÑÑ‚Ð²Ð¸Ñ‚ÐµÐ»ÑŒÐ½Ð¾ÑÑ‚ÑŒ Ñ‡Ð°ÑÑ‚Ð¸Ñ‡Ð½Ð¾ Ð¾Ð±ÐµÐ·Ð²Ð¾Ð¶ÐµÐ½Ð½Ñ‹Ñ… ÑÑ€Ð¸Ñ‚Ñ€Ð¾Ñ†Ð¸Ñ‚Ð¾Ð² Ðº Ð³Ð¸Ð¿ÐµÑ€Ñ‚Ð¾Ð½Ð¸Ñ‡ÐµÑÐºÐ¾Ð¼Ñƒ ÑÑ‚Ñ€ÐµÑÑÑƒ
von: Orlova, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2003)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: V. P. Kladko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
von: Kladko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Ð¡Ñ‚Ñ€ÑƒÐºÑ‚ÑƒÑ€Ð½Ð°Ñ Ñ…Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ° Ñ‚ÐºÐ°Ð½Ð¸ Ð¿Ð»Ð°Ñ†ÐµÐ½Ñ‚Ñ‹ Ð¿Ð¾ÑÐ»Ðµ Ð¸Ð½ÐºÑƒÐ±Ð°Ñ†Ð¸Ð¸ Ñ Ð”ÐœÐ¡Ðž
von: Govorukha, T. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особливості електричної ерозії контактів реле на основі срібла з добавками оксидів
von: Клименко, Б.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Peculiarities of mechanisms formation of slab indates AIILanInnO3n+1 (AII = Sr, Ba) from the systems of co-crystallized nitrates
von: Yu. O. Titov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: M. S. Boltovets, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: Boltovets, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
von: Цибрій, З.Ф.
Veröffentlicht: (2019)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ð’Ð»Ð¸ÑÐ½Ð¸Ðµ Ñ€Ð°Ð·Ð»Ð¸Ñ‡Ð½Ñ‹Ñ… Ñ€ÐµÐ¶Ð¸Ð¼Ð¾Ð² ÐºÑ€Ð¸Ð¾ÐºÐ¾Ð½ÑÐµÑ€Ð²Ð¸Ñ€Ð¾Ð²Ð°Ð½Ð¸Ñ Ð½Ð° Ð½ÐµÐºÐ¾Ñ‚Ð¾Ñ€Ñ‹Ðµ Ñ…Ð°Ñ€Ð°ÐºÑ‚ÐµÑ€Ð¸ÑÑ‚Ð¸ÐºÐ¸ ÑÐ¼Ð±Ñ€Ð¸Ð¾Ð½Ð°Ð»ÑŒÐ½Ñ‹Ñ… Ð½ÐµÑ€Ð²Ð½Ñ‹Ñ… ÐºÐ»ÐµÑ‚Ð¾Ðº
von: Goltsev, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2003)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)