Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра
Optical and electrophysical properties of terbium-doped zinc oxide films have been studied, by using the external reflection IR spectroscopy. The films were deposited onto silicon oxide substrates with the help of the magnetron sputtering method. A theoretical analysis of the reflection spectra of t...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019335 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20193352019-06-26T13:31:25Z Optical and Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра Melnichuk, O. V. Melnichuk, L. Yu. Korsunska, N. O. Khomenkova, L. Yu. Venger, Ye. F. оксид цинку SiO2 IЧ-вiдбивання тонка плiвка дiелектрична пiдкладка фонон плазмон концентрацiя електронiв - zinc oxide SiO2 IR reflection thin film dielectric substrate phonon plasmon electron concentration - Optical and electrophysical properties of terbium-doped zinc oxide films have been studied, by using the external reflection IR spectroscopy. The films were deposited onto silicon oxide substrates with the help of the magnetron sputtering method. A theoretical analysis of the reflection spectra of the ZnO/SiO2 structure is carried out in the framework of a multioscillatory model in the spectral interval 50–1500 cm−1 and for the electrical field orientation perpendicular to the c-axis (E⊥C). The method of dispersion analysis is applied to determine the optical and electrical properties of ZnO films, as well as the oscillator strengths and damping coefficients in the ZnO film and the SiO2 substrate. The influences of the phonon and plasmon-phonon subsystems in the ZnO film on the shape of IR reflection spectra registered from the Tb–ZnO/SiO2 structure are elucidated. За допомогою методу IЧ-спектроскопiї зовнiшнього вiдбивання дослiджено оптичнi та електрофiзичнi властивостi плiвок оксиду цинку, легованого тербiєм. Плiвки було нанесено на пiдкладки оксиду кремнiю методом магнетронного напилення. Теоретичне моделювання спектрiв для структури ZnO/SiO2 проведено з використанням багатоосциляторної моделi в дiапазонi 50–1500 см−1 за орiєнтацiї електричного поля перпендикулярно до c-осi (E⊥C). Методом дисперсiйного аналiзу визначено оптичнi та електричнi властивостi плiвки ZnO, а також силу осциляторiв i значення їх коефiцiєнта затухання для плiвки та пiдкладки SiO2. З’ясовано вплив фононної та плазмон-фононної пiдсистем плiвки ZnO на форму спектра IЧ-вiдбивання структури Tb–ZnO/SiO2. Publishing house "Academperiodika" 2019-06-18 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335 10.15407/ujpe64.5.434 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 64 No. 5 (2019); 434 Український фізичний журнал; Том 64 № 5 (2019); 434 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe64.5 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335/1389 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335/1390 Copyright (c) 2019 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
оксид цинку SiO2 IЧ-вiдбивання тонка плiвка дiелектрична пiдкладка фонон плазмон концентрацiя електронiв - zinc oxide SiO2 IR reflection thin film dielectric substrate phonon plasmon electron concentration - |
| spellingShingle |
оксид цинку SiO2 IЧ-вiдбивання тонка плiвка дiелектрична пiдкладка фонон плазмон концентрацiя електронiв - zinc oxide SiO2 IR reflection thin film dielectric substrate phonon plasmon electron concentration - Melnichuk, O. V. Melnichuk, L. Yu. Korsunska, N. O. Khomenkova, L. Yu. Venger, Ye. F. Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| topic_facet |
оксид цинку SiO2 IЧ-вiдбивання тонка плiвка дiелектрична пiдкладка фонон плазмон концентрацiя електронiв - zinc oxide SiO2 IR reflection thin film dielectric substrate phonon plasmon electron concentration - |
| format |
Article |
| author |
Melnichuk, O. V. Melnichuk, L. Yu. Korsunska, N. O. Khomenkova, L. Yu. Venger, Ye. F. |
| author_facet |
Melnichuk, O. V. Melnichuk, L. Yu. Korsunska, N. O. Khomenkova, L. Yu. Venger, Ye. F. |
| author_sort |
Melnichuk, O. V. |
| title |
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| title_short |
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| title_full |
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| title_fullStr |
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| title_full_unstemmed |
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра |
| title_sort |
оптичні та електричні властивості tb–zno/sio2 в іч-області спектра |
| title_alt |
Optical and Electrical Properties of Tb–ZnO/SiO2 Structure in the Infrared Spectral Interval |
| description |
Optical and electrophysical properties of terbium-doped zinc oxide films have been studied, by using the external reflection IR spectroscopy. The films were deposited onto silicon oxide substrates with the help of the magnetron sputtering method. A theoretical analysis of the reflection spectra of the ZnO/SiO2 structure is carried out in the framework of a multioscillatory model in the spectral interval 50–1500 cm−1 and for the electrical field orientation perpendicular to the c-axis (E⊥C). The method of dispersion analysis is applied to determine the optical and electrical properties of ZnO films, as well as the oscillator strengths and damping coefficients in the ZnO film and the SiO2 substrate. The influences of the phonon and plasmon-phonon subsystems in the ZnO film on the shape of IR reflection spectra registered from the Tb–ZnO/SiO2 structure are elucidated. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2019 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019335 |
| work_keys_str_mv |
AT melnichukov opticalandelectricalpropertiesoftbznosio2structureintheinfraredspectralinterval AT melnichuklyu opticalandelectricalpropertiesoftbznosio2structureintheinfraredspectralinterval AT korsunskano opticalandelectricalpropertiesoftbznosio2structureintheinfraredspectralinterval AT khomenkovalyu opticalandelectricalpropertiesoftbznosio2structureintheinfraredspectralinterval AT vengeryef opticalandelectricalpropertiesoftbznosio2structureintheinfraredspectralinterval AT melnichukov optičnítaelektričnívlastivostítbznosio2víčoblastíspektra AT melnichuklyu optičnítaelektričnívlastivostítbznosio2víčoblastíspektra AT korsunskano optičnítaelektričnívlastivostítbznosio2víčoblastíspektra AT khomenkovalyu optičnítaelektričnívlastivostítbznosio2víčoblastíspektra AT vengeryef optičnítaelektričnívlastivostítbznosio2víčoblastíspektra |
| first_indexed |
2023-03-24T08:57:54Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:57:54Z |
| _version_ |
1795757681880858624 |