Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів

• Дата: 2020
• Автори: Bilanych, B. V., Shylenko, O., Latyshev, V. M., Feher, A., Bilanych, V. S., Rizak, V. M., Komanicky, V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2020
• Теми: chalcogenide glass; thin films; As–Se; electron-induced surface relief; -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam...