Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam...
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019391 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20193912020-04-03T10:01:25Z Interaction of Chalcogenide As4Se96 Films with Electron Beam When Used as Electronic Resists Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів Bilanych, B. V. Shylenko, O. Latyshev, V. M. Feher, A. Bilanych, V. S. Rizak, V. M. Komanicky, V. chalcogenide glass thin films As–Se electron-induced surface relief - The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam are calculated. It is shown that the observed point of inversion of the shape of the electron-induced relief can be caused by the crossover of the surface potential. The process of manufacturing the image element by the single-step lithography is realized on the surface of an As4Se96 film. Дослiджено взаємодiю електронного пучка з халькогенiдними плiвками As4Se96. Встановлена кiнетика формування електронно-iндукованого рельєфу поверхнi в дозовому дiапазонi 9,3 · 103–9,3 · 107 мкC· см−2. Розраховано параметри взаємодiї плiвки As4Se96 з електронним пучком. Показано, що спостережувана точка iнверсiї форми електронно-iндукованого рельєфу може бути зумовлена кроссовером поверхневого потенцiалу. На поверхнi плiвки As4Se96 був реалiзований процес виготовлення елемента зображення методом одноступеневої електронної лiтографiї. Publishing house "Academperiodika" 2020-03-26 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391 10.15407/ujpe65.3.247 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 65 No. 3 (2020); 247 Український фізичний журнал; Том 65 № 3 (2020); 247 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe65.3 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391/1584 Copyright (c) 2020 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
chalcogenide glass thin films As–Se electron-induced surface relief - |
| spellingShingle |
chalcogenide glass thin films As–Se electron-induced surface relief - Bilanych, B. V. Shylenko, O. Latyshev, V. M. Feher, A. Bilanych, V. S. Rizak, V. M. Komanicky, V. Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| topic_facet |
chalcogenide glass thin films As–Se electron-induced surface relief - |
| format |
Article |
| author |
Bilanych, B. V. Shylenko, O. Latyshev, V. M. Feher, A. Bilanych, V. S. Rizak, V. M. Komanicky, V. |
| author_facet |
Bilanych, B. V. Shylenko, O. Latyshev, V. M. Feher, A. Bilanych, V. S. Rizak, V. M. Komanicky, V. |
| author_sort |
Bilanych, B. V. |
| title |
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_short |
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_full |
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_fullStr |
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_full_unstemmed |
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_sort |
взаємодія халькогенідних плівок as4se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів |
| title_alt |
Interaction of Chalcogenide As4Se96 Films with Electron Beam When Used as Electronic Resists |
| description |
The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam are calculated. It is shown that the observed point of inversion of the shape of the electron-induced relief can be caused by the crossover of the surface potential. The process of manufacturing the image element by the single-step lithography is realized on the surface of an As4Se96 film. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2020 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391 |
| work_keys_str_mv |
AT bilanychbv interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT shylenkoo interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT latyshevvm interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT fehera interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT bilanychvs interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT rizakvm interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT komanickyv interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists AT bilanychbv vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT shylenkoo vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT latyshevvm vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT fehera vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT bilanychvs vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT rizakvm vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív AT komanickyv vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív |
| first_indexed |
2023-03-24T08:58:00Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:58:00Z |
| _version_ |
1795757684994080768 |