Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів

Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів

The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2020
Hauptverfasser: Bilanych, B. V., Shylenko, O., Latyshev, V. M., Feher, A., Bilanych, V. S., Rizak, V. M., Komanicky, V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2020
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2019391
record_format ojs
spelling ujp2-article-20193912020-04-03T10:01:25Z Interaction of Chalcogenide As4Se96 Films with Electron Beam When Used as Electronic Resists Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів Bilanych, B. V. Shylenko, O. Latyshev, V. M. Feher, A. Bilanych, V. S. Rizak, V. M. Komanicky, V. chalcogenide glass thin films As–Se electron-induced surface relief - The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam are calculated. It is shown that the observed point of inversion of the shape of the electron-induced relief can be caused by the crossover of the surface potential. The process of manufacturing the image element by the single-step lithography is realized on the surface of an As4Se96 film. Дослiджено взаємодiю електронного пучка з халькогенiдними плiвками As4Se96. Встановлена кiнетика формування електронно-iндукованого рельєфу поверхнi в дозовому дiапазонi 9,3 · 103–9,3 · 107 мкC· см−2. Розраховано параметри взаємодiї плiвки As4Se96 з електронним пучком. Показано, що спостережувана точка iнверсiї форми електронно-iндукованого рельєфу може бути зумовлена кроссовером поверхневого потенцiалу. На поверхнi плiвки As4Se96 був реалiзований процес виготовлення елемента зображення методом одноступеневої електронної лiтографiї. Publishing house "Academperiodika" 2020-03-26 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391 10.15407/ujpe65.3.247 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 65 No. 3 (2020); 247 Український фізичний журнал; Том 65 № 3 (2020); 247 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe65.3 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391/1584 Copyright (c) 2020 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine
institution Ukrainian Journal of Physics
baseUrl_str
datestamp_date 2020-04-03T10:01:25Z
collection OJS
language English
topic_facet chalcogenide glass
thin films
As–Se
electron-induced surface relief
-
format Article
author Bilanych, B. V.
Shylenko, O.
Latyshev, V. M.
Feher, A.
Bilanych, V. S.
Rizak, V. M.
Komanicky, V.
spellingShingle Bilanych, B. V.
Shylenko, O.
Latyshev, V. M.
Feher, A.
Bilanych, V. S.
Rizak, V. M.
Komanicky, V.
Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
author_facet Bilanych, B. V.
Shylenko, O.
Latyshev, V. M.
Feher, A.
Bilanych, V. S.
Rizak, V. M.
Komanicky, V.
author_sort Bilanych, B. V.
title Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_short Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_full Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_fullStr Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_full_unstemmed Взаємодія халькогенідних плівок As4Se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_sort взаємодія халькогенідних плівок as4se96 з електронним пучком при використанні їх у ролі електронних резистів
title_alt Interaction of Chalcogenide As4Se96 Films with Electron Beam When Used as Electronic Resists
description The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9,3 · 103–9,3 · 107 мC· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam are calculated. It is shown that the observed point of inversion of the shape of the electron-induced relief can be caused by the crossover of the surface potential. The process of manufacturing the image element by the single-step lithography is realized on the surface of an As4Se96 film.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2020
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019391
work_keys_str_mv AT bilanychbv interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT shylenkoo interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT latyshevvm interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT fehera interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT bilanychvs interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT rizakvm interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT komanickyv interactionofchalcogenideas4se96filmswithelectronbeamwhenusedaselectronicresists
AT bilanychbv vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT shylenkoo vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT latyshevvm vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT fehera vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT bilanychvs vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT rizakvm vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
AT komanickyv vzaêmodíâhalʹkogenídnihplívokas4se96zelektronnimpučkomprivikoristannííhurolíelektronnihrezistív
first_indexed 2025-10-02T01:16:31Z
last_indexed 2025-10-02T01:16:31Z
_version_ 1851765216828719104

Ähnliche Einträge