Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу
The influence of the atomic disorder on the Auger recombination rate in p-InGaN alloys has been studied. The disorder was simulated using a 4 × 4 × 4 supercell in which In and Ga atoms taken in a required stoichiometric ratio were randomly distributed over the supercell sites. A comparison between t...
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English Ukrainian |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019407 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20194072022-01-17T12:53:14Z Influence of Atomic Disorder on the Auger Recombination Rate in p-InGaN Alloys Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу Zinovchuk, A. V. Sevost’yanov, E. A. InGaN сполуки атомна невпорядкованiсть оже-рекомбiнацiя надкомiрка - InGaN compounds atomic disorder Auger recombination supercell - The influence of the atomic disorder on the Auger recombination rate in p-InGaN alloys has been studied. The disorder was simulated using a 4 × 4 × 4 supercell in which In and Ga atoms taken in a required stoichiometric ratio were randomly distributed over the supercell sites. A comparison between the Auger recombination rates calculated in the framework of the supercell and virtual-crystal approximations showed that a large number of allowed interband transitions induced by the atomic disorder strongly increases the Auger recombination rate in wide-band-gap p-InGaN alloys. Було дослiджено вплив атомної невпорядкованостi на швидкiсть оже-рекомбiнацiї в p-InGaN сполуках. Моделювання невпорядкованостi виконувалось за допомогою 4 × 4 × 4 надкомiрки, в якiй In та Ga атоми випадковим чином розмiщувалися по вузлах, забезпечуючи необхiдний стехiометричний склад сполуки. Порiвняння швидкостi оже-рекомбiнацiї, розрахованої в межах апроксимацiї надкомiрки та апроксимацiї вiртуального кристала, показує, що велика кiлькiсть дозволених мiжзонних оже-переходiв, спричинених атомною невпорядкованiстю, значно пiдвищує швидкiсть рекомбiнацiї в широкозонних InGaN сполуках p-типу. Publishing house "Academperiodika" 2020-03-03 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407 10.15407/ujpe65.2.157 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 65 No. 2 (2020); 157 Український фізичний журнал; Том 65 № 2 (2020); 157 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe65.2 en uk https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407/1568 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407/1569 Copyright (c) 2020 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English Ukrainian |
| topic |
InGaN сполуки атомна невпорядкованiсть оже-рекомбiнацiя надкомiрка - InGaN compounds atomic disorder Auger recombination supercell - |
| spellingShingle |
InGaN сполуки атомна невпорядкованiсть оже-рекомбiнацiя надкомiрка - InGaN compounds atomic disorder Auger recombination supercell - Zinovchuk, A. V. Sevost’yanov, E. A. Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| topic_facet |
InGaN сполуки атомна невпорядкованiсть оже-рекомбiнацiя надкомiрка - InGaN compounds atomic disorder Auger recombination supercell - |
| format |
Article |
| author |
Zinovchuk, A. V. Sevost’yanov, E. A. |
| author_facet |
Zinovchuk, A. V. Sevost’yanov, E. A. |
| author_sort |
Zinovchuk, A. V. |
| title |
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| title_short |
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| title_full |
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| title_fullStr |
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| title_full_unstemmed |
Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу |
| title_sort |
вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в ingan сполуках p-типу |
| title_alt |
Influence of Atomic Disorder on the Auger Recombination Rate in p-InGaN Alloys |
| description |
The influence of the atomic disorder on the Auger recombination rate in p-InGaN alloys has been studied. The disorder was simulated using a 4 × 4 × 4 supercell in which In and Ga atoms taken in a required stoichiometric ratio were randomly distributed over the supercell sites. A comparison between the Auger recombination rates calculated in the framework of the supercell and virtual-crystal approximations showed that a large number of allowed interband transitions induced by the atomic disorder strongly increases the Auger recombination rate in wide-band-gap p-InGaN alloys. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2020 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019407 |
| work_keys_str_mv |
AT zinovchukav influenceofatomicdisorderontheaugerrecombinationrateinpinganalloys AT sevostyanovea influenceofatomicdisorderontheaugerrecombinationrateinpinganalloys AT zinovchukav vplivnevporâdkovanoíatomnoístrukturinašvidkístʹožerekombínacíívinganspolukahptipu AT sevostyanovea vplivnevporâdkovanoíatomnoístrukturinašvidkístʹožerekombínacíívinganspolukahptipu |
| first_indexed |
2023-03-24T08:58:02Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:58:02Z |
| _version_ |
1795757685849718784 |