Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій

• Дата: 2021
• Автори: Lysochenko, S.V., Zharkikh, Yu.S., Kukharenko, O.G., Tretiak, O.V., Tolmachov, M.G.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2021
• Теми: Hall investigations; implantation; protons; a-particles; buried conductive channels; Semiconductors and dielectrics; холiвськi дослiдження; iмплантацiя; протони; a-частинки; заглибленi провiднi канали
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019584
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The implantation of the high-energy ions of H+ or He+ in germanium leads to the creation of buried conductive channels in its bulk with equal concentrations of acceptor centers. These centers are the structure defects of the crystal lattice which arise in the course of deceleration of high-energy pa...