Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій
The implantation of the high-energy ions of H+ or He+ in germanium leads to the creation of buried conductive channels in its bulk with equal concentrations of acceptor centers. These centers are the structure defects of the crystal lattice which arise in the course of deceleration of high-energy pa...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019584 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2019584 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20195842021-01-29T11:10:29Z Hall Study of Conductive Channels Formed in Germanium by Beams of High-Energy Light Ions Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій Lysochenko, S.V. Zharkikh, Yu.S. Kukharenko, O.G. Tretiak, O.V. Tolmachov, M.G. Hall investigations implantation protons a-particles buried conductive channels Semiconductors and dielectrics холiвськi дослiдження iмплантацiя протони a-частинки заглибленi провiднi канали The implantation of the high-energy ions of H+ or He+ in germanium leads to the creation of buried conductive channels in its bulk with equal concentrations of acceptor centers. These centers are the structure defects of the crystal lattice which arise in the course of deceleration of high-energy particles. This method of introducing electrically active defects is similar to the doping of semiconductors by acceptor-type impurities. It has been established that the density of defects increases with the implantation dose till ≈5×10^15 cm−2. The further increase of the implantation dose does not affect the level of doping. In the range of applied doses (10^12–6×10^16) cm−2, the Hall mobility of holes in the formed conducting channels is practically independent of the implanted dose and is about (2-3)×10^4 cm2/Vs at 77 K. The doping ofthe germanium by high-energy ions of H+ or He+ to obtain conducting regions with high hole mobility can be used in the microelectronics technology. Iмплантацiя високоенергетичних iонiв H+ або He+ в германiй приводить до створення заглиблених в об’єм провiднихканалiв з однаковими концентрацiями акцепторних центрiв. Такi центри є дефектами структури кристалiчної ґратки, якi виникають у процесi уповiльнення високоенергетичних iонiв. Такий спосiб введення електрично активних дефектiв є аналогiчним процесу легування напiвпровiдникiвдомiшками акцепторного типу. Встановлено, що концентрацiя дефектiв збiльшується зi збiльшенням дози iмплантацiїдо ≈5 · 10^15 см−2. Подальше збiльшення дози iмплантацiї не впливає на рiвень легування. У дiапазонi застосованих доз (10^12–6·10^16) см−2 холiвська рухливiсть дiрок в утворених провiдних каналах практично не залежить вiд дози iмплантацiї i становить приблизно (2–3) · 10^4 см2В−1с−1 при 77 K. Легування германiю легкими iонами H+ або He+ високих енергiй для отримання провiдних областей з високою рухливiстю дiрок може бути використане в технологiях мiкроелектронiки. Publishing house "Academperiodika" 2021-01-29 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019584 10.15407/ujpe66.1.62 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 66 No. 1 (2021); 62 Український фізичний журнал; Том 66 № 1 (2021); 62 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe66.1 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019584/1737 Copyright (c) 2021 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2021-01-29T11:10:29Z |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
холiвськi дослiдження iмплантацiя протони a-частинки заглибленi провiднi канали |
| spellingShingle |
холiвськi дослiдження iмплантацiя протони a-частинки заглибленi провiднi канали Lysochenko, S.V. Zharkikh, Yu.S. Kukharenko, O.G. Tretiak, O.V. Tolmachov, M.G. Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| topic_facet |
Hall investigations implantation protons a-particles buried conductive channels Semiconductors and dielectrics холiвськi дослiдження iмплантацiя протони a-частинки заглибленi провiднi канали |
| format |
Article |
| author |
Lysochenko, S.V. Zharkikh, Yu.S. Kukharenko, O.G. Tretiak, O.V. Tolmachov, M.G. |
| author_facet |
Lysochenko, S.V. Zharkikh, Yu.S. Kukharenko, O.G. Tretiak, O.V. Tolmachov, M.G. |
| author_sort |
Lysochenko, S.V. |
| title |
Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_short |
Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_full |
Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_fullStr |
Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_full_unstemmed |
Холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_sort |
холівські дослідження провідних каналів, сформованих у германії пучками легких іонів високих енергій |
| title_alt |
Hall Study of Conductive Channels Formed in Germanium by Beams of High-Energy Light Ions |
| description |
The implantation of the high-energy ions of H+ or He+ in germanium leads to the creation of buried conductive channels in its bulk with equal concentrations of acceptor centers. These centers are the structure defects of the crystal lattice which arise in the course of deceleration of high-energy particles. This method of introducing electrically active defects is similar to the doping of semiconductors by acceptor-type impurities. It has been established that the density of defects increases with the implantation dose till ≈5×10^15 cm−2. The further increase of the implantation dose does not affect the level of doping. In the range of applied doses (10^12–6×10^16) cm−2, the Hall mobility of holes in the formed conducting channels is practically independent of the implanted dose and is about (2-3)×10^4 cm2/Vs at 77 K. The doping ofthe germanium by high-energy ions of H+ or He+ to obtain conducting regions with high hole mobility can be used in the microelectronics technology. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019584 |
| work_keys_str_mv |
AT lysochenkosv hallstudyofconductivechannelsformedingermaniumbybeamsofhighenergylightions AT zharkikhyus hallstudyofconductivechannelsformedingermaniumbybeamsofhighenergylightions AT kukharenkoog hallstudyofconductivechannelsformedingermaniumbybeamsofhighenergylightions AT tretiakov hallstudyofconductivechannelsformedingermaniumbybeamsofhighenergylightions AT tolmachovmg hallstudyofconductivechannelsformedingermaniumbybeamsofhighenergylightions AT lysochenkosv holívsʹkídoslídžennâprovídnihkanalívsformovanihugermaníípučkamilegkihíonívvisokihenergíj AT zharkikhyus holívsʹkídoslídžennâprovídnihkanalívsformovanihugermaníípučkamilegkihíonívvisokihenergíj AT kukharenkoog holívsʹkídoslídžennâprovídnihkanalívsformovanihugermaníípučkamilegkihíonívvisokihenergíj AT tretiakov holívsʹkídoslídžennâprovídnihkanalívsformovanihugermaníípučkamilegkihíonívvisokihenergíj AT tolmachovmg holívsʹkídoslídžennâprovídnihkanalívsformovanihugermaníípučkamilegkihíonívvisokihenergíj |
| first_indexed |
2025-10-02T01:16:50Z |
| last_indexed |
2025-10-02T01:16:50Z |
| _version_ |
1851765240086134784 |