Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn

• Дата: 2021
• Автори: Romaka, V.V., Stadnyk, Yu.V., Rogl, P.F., Romaka, L.P., Krayovskyy, V.Ya., Horpenyuk, A.Ya., Horyn, A.M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2021
• Теми: напiвпровiдники; кристалiчнi ґратки; дефекти; semiconductors; crystal lattices; defects; Semiconductors and Insulators
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determ...