Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determ...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2020043 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20200432021-05-13T16:15:11Z Mechanism of Defect Formation in Zr1 – xVxNiSn Thermoelectric Material Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn Romaka, V.V. Stadnyk, Yu.V. Rogl, P.F. Romaka, L.P. Krayovskyy, V.Ya. Horpenyuk, A.Ya. Horyn, A.M. напiвпровiдники кристалiчнi ґратки дефекти semiconductors crystal lattices defects Semiconductors and Insulators Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determines the electric conductivity of the material, is established. It is shown that energetically expedient is a simultaneous occupation of the 4c position of Ni (3d84s2) atoms by V (3d34s2) atoms, which generates structural defects of the acceptor nature and the impurity acceptor band Ꜫ1A, as well as the 4a position of Zr (4d25s2) atoms, generating structural defects of the donor nature and the impurity donor band Ꜫ2D. Дослiджено кристалiчну та електронну структуру, транспортнi та енергетичнi характеристики термоелектричного матерiалу Zr1−xVx NiSn (0,01 ≤ x ≤ 0,1) в iнтервалi температур 80–400 К. Встановлено механiзми генерування структурних дефектiв акцепторної та донорної природи, якi визначають електропровiднiсть матерiалу. Показано, що енергетично вигiдним є одночасне заповнення як кристалографiчної позицiї 4c атомiв Ni(3d84s2) атомами V (3d34s2), якi генерують структурнi дефекти акцепторної природи та створюють домiшкову акцепторну зону Ꜫ1A, так i позицiї 4a атомiв Zr (4d25s2), якi генерують структурнi дефекти донорної природи та створюють домiшкову донорну зону Ꜫ2D. Publishing house "Academperiodika" 2021-05-13 Article Article Original Research Article (peer-reviewed) Оригінальна дослідницька стаття (з незалежним рецензуванням) application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 10.15407/ujpe66.4.333 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 66 No. 4 (2021); 333 Український фізичний журнал; Том 66 № 4 (2021); 333 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe66.4 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043/1779 Copyright (c) 2021 Bogolyubov Institute for Theoretical Physics, National Academy of Sciences of Ukraine |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
напiвпровiдники кристалiчнi ґратки дефекти semiconductors crystal lattices defects Semiconductors and Insulators |
| spellingShingle |
напiвпровiдники кристалiчнi ґратки дефекти semiconductors crystal lattices defects Semiconductors and Insulators Romaka, V.V. Stadnyk, Yu.V. Rogl, P.F. Romaka, L.P. Krayovskyy, V.Ya. Horpenyuk, A.Ya. Horyn, A.M. Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| topic_facet |
напiвпровiдники кристалiчнi ґратки дефекти semiconductors crystal lattices defects Semiconductors and Insulators |
| format |
Article |
| author |
Romaka, V.V. Stadnyk, Yu.V. Rogl, P.F. Romaka, L.P. Krayovskyy, V.Ya. Horpenyuk, A.Ya. Horyn, A.M. |
| author_facet |
Romaka, V.V. Stadnyk, Yu.V. Rogl, P.F. Romaka, L.P. Krayovskyy, V.Ya. Horpenyuk, A.Ya. Horyn, A.M. |
| author_sort |
Romaka, V.V. |
| title |
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| title_short |
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| title_full |
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| title_fullStr |
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| title_full_unstemmed |
Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn |
| title_sort |
механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі zr1 – xvxnisn |
| title_alt |
Mechanism of Defect Formation in Zr1 – xVxNiSn Thermoelectric Material |
| description |
Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determines the electric conductivity of the material, is established. It is shown that energetically expedient is a simultaneous occupation of the 4c position of Ni (3d84s2) atoms by V (3d34s2) atoms, which generates structural defects of the acceptor nature and the impurity acceptor band Ꜫ1A, as well as the 4a position of Zr (4d25s2) atoms, generating structural defects of the donor nature and the impurity donor band Ꜫ2D. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2021 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 |
| work_keys_str_mv |
AT romakavv mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT stadnykyuv mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT roglpf mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT romakalp mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT krayovskyyvya mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT horpenyukaya mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT horynam mechanismofdefectformationinzr1xvxnisnthermoelectricmaterial AT romakavv mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT stadnykyuv mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT roglpf mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT romakalp mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT krayovskyyvya mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT horpenyukaya mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn AT horynam mehanízmutvorennâdefektívutermoelektričnomumateríalízr1xvxnisn |
| first_indexed |
2023-03-24T08:58:43Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:58:43Z |
| _version_ |
1795757704485011456 |