Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determ...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |