Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determ...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Authors: | Romaka, V.V., Stadnyk, Yu.V., Rogl, P.F., Romaka, L.P., Krayovskyy, V.Ya., Horpenyuk, A.Ya., Horyn, A.M. |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsSimilar Items
-
Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
by: Romaka, V.V., et al.
Published: (2024) -
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
by: V. V. Romaka, et al.
Published: (2021) -
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
by: V. V. Romaka, et al.
Published: (2021) -
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
by: Romaka, V.V., et al.
Published: (2022) -
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
by: Romaka, V.V., et al.
Published: (2023)