Механізм утворення дефектів у термоелектричному матеріалі Zr1 – xVxNiSn
Crystal and electronic structure, transport and energy state characteristics of the Zr1−xVx NiSn (0.01 ≤ x ≤ 0.1) thermoelectric material are investigated in the 80–400 K temperature interval. A mechanism of simultaneous generation of structural defects of the acceptor and donor nature, which determ...
Збережено в:
| Дата: | 2021 |
|---|---|
| Автори: | Romaka, V.V., Stadnyk, Yu.V., Rogl, P.F., Romaka, L.P., Krayovskyy, V.Ya., Horpenyuk, A.Ya., Horyn, A.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020043 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of PhysicsСхожі ресурси
Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2024)
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021)
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2023)
Сторiччя науки про напiвпровiдники: витоки i український внесок
за авторством: Strikha, M. V.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Strikha, M. V.
Опубліковано: (2018)
Вадим Євгенович Лашкарьов – визначний український фізик ХХ століття, першовідкривач p-n-переходу в напівпровідниках (до 120-річчя від дня народження)
за авторством: Strikha, M.V.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Strikha, M.V.
Опубліковано: (2023)
Науковий спадок Петра Томчука. Бібліографічний опис
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)
Оптична кубiчна нелiнiйнiсть тонких плiвок Fe2O3 i Cr2O3, синтезованих методом iмпульсного лазерного осадження
за авторством: Brodyn, M. S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Brodyn, M. S., та інші
Опубліковано: (2019)
Про деякi важливi результати з фiзики поверхнi напiвпровiдникiв, отриманi в Українi за роки Незалежностi (1991–2016)
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Litovchenko, V. G.
Опубліковано: (2019)
Наближення молекулярного поля в теорії феромагнітного фазового переходу в розбавлених магнітних напівпровідниках
за авторством: Semenov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Semenov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2021)
Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2018)
Дослiдження взаємодiї атомiв елементiв IV та V груп з гранями Si(001), Ge(001)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Afanasieva, T. V.
Опубліковано: (2019)
Раманівське дослідження фотоокислення скла As2S3 : Ag під дією видимого світла
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2025)
Спектроскопія триплетных екситонів у органічних сполуках: кристалічний і склоподібний бензофенон
за авторством: Melnyk, V.I., та інші
Опубліковано: (2026)
за авторством: Melnyk, V.I., та інші
Опубліковано: (2026)
Вплив анiзотропних механiзмiв розсiяння на поляризацiйнi залежностi терагерцового випромiнювання гарячих електронiв
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tomchuk, P. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Особливості відпалу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge, опромінених електронами ви-соких енергій
за авторством: Luniov, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)
Науковий спадок Петра Томчука в галузі теоретичної фізики і фізики конденсованого стану
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Gandzha, I.S., та інші
Опубліковано: (2025)
Спектральнi параметри електрона в багатошаровiй цилiндричнiй напiвпровiдниковiй нанотрубцi з донорною домiшкою на аксiальнiй осi
за авторством: Makhanets, O. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Makhanets, O. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Симетрія енергетичних станів з урахуванням інваріантності до інверсії часу та дисперсія фононних гілок у гіротропних кристалах α-LiIO3
за авторством: Naumenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Naumenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2023)
Поверхневе розсiювання носiїв струму i поверхневi електроннi стани
за авторством: Sologub, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sologub, S. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
за авторством: Strikha, M.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Strikha, M.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Вплив олова на структурнi перетворення тонкоплiвкової субоксидної матрицi кремнiю
за авторством: Voitovych, V. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Voitovych, V. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Керування інтенсивністю лазерного випромінювання у рідкокристалічних вентилях при записі об’ємної динамічної ґратки
за авторством: Mystetskyi, V., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Mystetskyi, V., та інші
Опубліковано: (2023)
Механiзми розсiювання носiїв заряду у термоелектричному PbTe:Sb
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Freik, D. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Ґратки острівців електронно-діркової рідини в дихалькогенідах при оптичному накачуванні
за авторством: Chernyuk, A.A.
Опубліковано: (2025)
за авторством: Chernyuk, A.A.
Опубліковано: (2025)
Дилатометричні дослідження кристалів LiNH4SO4 з домішкою марганцю
за авторством: Brezvin, R.S., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Brezvin, R.S., та інші
Опубліковано: (2022)
Впакування та стисливість бікомпонентних мікромеханічних (гранульованих) систем
за авторством: Gerasymov, O.I., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Gerasymov, O.I., та інші
Опубліковано: (2025)
Неперервні в часі випадкові блукання з ресетингом в обмеженому ланцюжку
за авторством: Christophorov, L.N.
Опубліковано: (2024)
за авторством: Christophorov, L.N.
Опубліковано: (2024)
Формування нанокристалічного кремнію в плівках аморфного кремнію, легованого оловом
за авторством: Rudenko, R. M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Rudenko, R. M., та інші
Опубліковано: (2020)
Поведiнка водню при кристалiзацiї тонких плiвок кремнiю, легованих оловом
за авторством: Rudenko, R. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Rudenko, R. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Формування нанорозмiрних фаз при акусто-стимульованому iонно-променевому синтезi
за авторством: Litovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Litovchenko, V. G., та інші
Опубліковано: (2019)
Раманівське дослідження індукованих лазерним випромінюванням перетворень у термічно напилених тонких плівках TlInSe2
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Azhniuk, Y.M., та інші
Опубліковано: (2024)
Вплив телуру на деградацiйну стiйкiсть кристалiв напiвiзолюючого арсенiду галiю
за авторством: Klyui, N. I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Klyui, N. I., та інші
Опубліковано: (2018)
Імплантація іонів дейтерію та гелію у композиційну структуру з вольфрамовим покриттям
за авторством: Bobkov, V. V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bobkov, V. V., та інші
Опубліковано: (2020)
Індукована оловом кристалiзацiя аморфного кремнiю при iмпульсному лазерному опромiненнi
за авторством: Neimash, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Neimash, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)
Комбiнацiйне розсiювання свiтла в процесi iндукованої оловом кристалiзацiї аморфного кремнiю
за авторством: Neimash, V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Neimash, V., та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив лазерного світла на формування і властивості нанокристалів кремнію в шаруватих структурах a-Si/Sn
за авторством: Neimash, V. B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Neimash, V. B., та інші
Опубліковано: (2019)
Research on the ZR1-xVx NiSn thermoelectric material
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. A. Romaka, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021) -
Mechanism of defect formation in Zr1 – xVxNiSn thermoelectric material
за авторством: V. V. Romaka, та інші
Опубліковано: (2021) -
Особливості механізмів електропровідності напівпро-відникового твердого розчину Lu1 – xScxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2022) -
Особливості генерування енергетичних станів у напівпровіднику Lu1 – xVxNiSb
за авторством: Romaka, V.V., та інші
Опубліковано: (2023)