Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу

• Дата: 2021
• Автори: Strikha, M.V., Kurchak, A.I.
• Формат: Стаття
• Мова: English; Ukrainian
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2021
• Теми: транзистор метал–дiелектрик–напiвпровiдник; мiнiмальна довжина каналу; тунелювання крiзь бар’єр; metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; minimum channel length; barrier tunneling
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2020329
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The minimal length of the channel in the MOSFET, which is the principal device of modern electronics, has been estimated. The account of the real potential behavior in the channel demonstrates that, when some voltage is applied to the drain, electrons tunnel through a region that is essentially shor...