Strikha, M., & Kurchak, A. (2021). Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу. Publishing house "Academperiodika". https://doi.org/10.15407/ujpe66.7.625
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Strikha, M.V, та A.I Kurchak. Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу. Publishing house "Academperiodika", 2021. https://doi.org/10.15407/ujpe66.7.625.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Strikha, M.V, та A.I Kurchak. Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу. Publishing house "Academperiodika", 2021. https://doi.org/10.15407/ujpe66.7.625.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.