Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні
The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |