Фізичні властивості сенсорних структур на основі кремнієвого p−n-переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні

• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Kozynets’, O.V., Litvinenko, S.V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian; English
• Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2012
• Schlagworte: -
• Online Zugang: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021131
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

The influence of the adsorption of water molecules on the photosensitivity of a silicon p–n junction with interdigitated back contacts has been studied. It has been shown that the examined structures can be used for the creation of effective chemical sensors.