Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001)
Germanium (Ge) nanoclusters are grown by the molecular-beam epitaxy technique on a chemically oxidized Si(100) surface at 700 ºC. X-ray diffraction and photocurrent spectroscopy demonstrate that the nanoclusters have the local structure of body-centered-tetragonal Ge, which exhibits an optical adsor...
Gespeichert in:
| Datum: | 2021 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021152 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |