Вплив домішки олова на рекомбінаційні характеристики n-кремнію при γ-опроміненні
Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентраці...
Saved in:
| Date: | 2021 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian English |
| Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021157 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of Physics| Summary: | Експериментально досліджено та проаналізовано вплив ізовалентної домішки олова на зміну часу життя нерівноважних носіїв заряду в опроміненому γ-квантами 60Со n-Si, вирощеному за методом Чохральського (Cz). Виявлено, що поведінка часу життя в γ-опроміненому n-Si з Sn визначається вихідною концентрацією вільних електронів (n0). Показано, що із збільшенням концентрації олова константа деградації часу життя(kτ) зменшується у низькоомному і збільшується у високоомному n-Sі. Це пояснюється конкуренцією між основними центрами рекомбінації в n-Si з Sn-комплексами VО і SnV. Визначено співвідношення констант реакцій утворення дефектів SnV і VО, а також поперечні перерізи захоплення дірок одно- і двозарядними акцепторними станами SnV. |
|---|