Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
За допомогою розрахунків із перших принципів якісно розглянуто адсорбцію молекули O2 на поверхню Si1–xGex/Si(001) та визначено стабільні адсорбційні конфігурації молекулярного кисню. O2 недисоціативно хемадсорбуються на поверхню Si1–xGex/Si(001). У випадку, коли поверхняSi1–xGex/Si(001) представлена...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Greenchuk, A.A., Afanasieva, T.V., Koval, I.P., Nakhodkin, M.G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian English |
| Veröffentlicht: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021310 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Institution
Ukrainian Journal of PhysicsÄhnliche Einträge
-
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: A. A. Greenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
von: O. A. Hrynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
von: Afanasieva, T.V., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
von: A. A. Grynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)