Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення

• Дата: 2012
• Автори: Dmitruk, N., Berezovska, N., Dmitruk, I., Serdyuk, V., Sabataityte, J., Simkiene, I.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2012
• Теми: -
• Онлайн доступ: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325
• Назва журналу: Ukrainian Journal of Physics

Morphology investigations (atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM)), study of Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) have been performed to characterize a series of AIIIBV materials (GaAs, GaP, InP) with an electrochemically prepared porous surface layer. It ha...