Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення
Morphology investigations (atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM)), study of Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) have been performed to characterize a series of AIIIBV materials (GaAs, GaP, InP) with an electrochemically prepared porous surface layer. It ha...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2021325 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20213252022-01-21T08:03:37Z Modification of Optical Properties of Porous AIIIBV Layers Produced by Anodic Etching Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення Dmitruk, N. Berezovska, N. Dmitruk, I. Serdyuk, V. Sabataityte, J. Simkiene, I. - - Morphology investigations (atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM)), study of Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) have been performed to characterize a series of AIIIBV materials (GaAs, GaP, InP) with an electrochemically prepared porous surface layer. It has been shown that the surface morphology of porous AIIIBV compounds strongly depends on various parameters of the anodizationprocess such as the etching time, current density, composition of etching solution, and illumination during the etching procedure. The enhancement of a Raman signal from porous surfaces, which has been observed for almost all samples, is caused mainly by the breaking of selection rules for corresponding phonon modes and a decrease of the reflection at the porous surface. The peculiarities of the PL spectra of porous AIIIBV compounds are studied in a wide temperature range. The small quantum confinement effect has been observed for GaAs and InP porous surfaces. Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії (АСМ) та скануючої електронної мікроскопії (СЕМ)), комбінаційного розсіювання світла (КРС) та фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу AIIIBV (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, отриманою за допомогою методу електрохімічного травлення. Було показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук AIIIBV суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника і наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук AIIIBV вивчались в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостерігався незначний квантово-розмірний ефект. Publishing house "Academperiodika" 2012-02-15 Article Article application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325 10.15407/ujpe57.2.145 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 57 No. 2 (2012); 145 Український фізичний журнал; Том 57 № 2 (2012); 145 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe57.2 en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325/2061 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Dmitruk, N. Berezovska, N. Dmitruk, I. Serdyuk, V. Sabataityte, J. Simkiene, I. Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Dmitruk, N. Berezovska, N. Dmitruk, I. Serdyuk, V. Sabataityte, J. Simkiene, I. |
| author_facet |
Dmitruk, N. Berezovska, N. Dmitruk, I. Serdyuk, V. Sabataityte, J. Simkiene, I. |
| author_sort |
Dmitruk, N. |
| title |
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| title_short |
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| title_full |
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| title_fullStr |
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| title_full_unstemmed |
Модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників AIIIBV, отриманих методом анодного травлення |
| title_sort |
модифікація оптичних властивостей пористих шарів напівпровідників aiiibv, отриманих методом анодного травлення |
| title_alt |
Modification of Optical Properties of Porous AIIIBV Layers Produced by Anodic Etching |
| description |
Morphology investigations (atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM)), study of Raman scattering (RS) and photoluminescence (PL) have been performed to characterize a series of AIIIBV materials (GaAs, GaP, InP) with an electrochemically prepared porous surface layer. It has been shown that the surface morphology of porous AIIIBV compounds strongly depends on various parameters of the anodizationprocess such as the etching time, current density, composition of etching solution, and illumination during the etching procedure. The enhancement of a Raman signal from porous surfaces, which has been observed for almost all samples, is caused mainly by the breaking of selection rules for corresponding phonon modes and a decrease of the reflection at the porous surface. The peculiarities of the PL spectra of porous AIIIBV compounds are studied in a wide temperature range. The small quantum confinement effect has been observed for GaAs and InP porous surfaces. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2021325 |
| work_keys_str_mv |
AT dmitrukn modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT berezovskan modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT dmitruki modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT serdyukv modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT sabataitytej modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT simkienei modificationofopticalpropertiesofporousaiiibvlayersproducedbyanodicetching AT dmitrukn modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ AT berezovskan modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ AT dmitruki modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ AT serdyukv modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ AT sabataitytej modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ AT simkienei modifíkacíâoptičnihvlastivostejporistihšarívnapívprovídnikívaiiibvotrimanihmetodomanodnogotravlennâ |
| first_indexed |
2023-03-24T08:59:50Z |
| last_indexed |
2023-03-24T08:59:50Z |
| _version_ |
1795757735755644928 |