Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

• Date: 2022
• Main Authors: Kraitchinskii, A.M., Kras’ko, M.M., Kolosiuk, A.G., Petrunya , R.V., Povarchuk, V.Yu., Voitovych, V.V., Neimash, V.B., Makara, V.A., Rudenko, R.M.
• Format: Article
• Language: Ukrainian; English
• Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
• Subjects: -
• Online Access: https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028
• Journal Title: Ukrainian Journal of Physics

Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами при таких температурах приводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка при цьому утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення і зменшується при збільшенні температури зразків при опроміненні. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка ґрунтується на тому, що при електронному опроміненні збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення і зростає зі збільшенням інтенсивності.