2025-02-23T09:36:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022028%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T09:36:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022028%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T09:36:32-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T09:36:32-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія–кисень (VO) в n-Si, вирощеному методом Чохральського (Cz), при різних інтенсивностях імпульсного 1 МеВ електронного опромінення при температурах, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (T ≥ 300 ºC). Показано, що опромінення електронами п...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Kraitchinskii, A.M., Kras’ko, M.M., Kolosiuk, A.G., Petrunya , R.V., Povarchuk, V.Yu., Voitovych, V.V., Neimash, V.B., Makara, V.A., Rudenko, R.M.
Format:	Article
Language:	Ukrainian English
Published:	Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:	-
Online Access:	https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022028
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

Be the first to leave a comment!

Механізм відпалу VO дефектів в n-Si при високотемпературному імпульсному електронному опроміненні

Similar Items