2025-02-22T09:54:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:54:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T09:54:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T09:54:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030

Similar Items