Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vakulenko, O., Golovynskyi, S., Kondratenko, S., Mazur, Y., Wang, Z., & Salamo, G. (2022). Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vakulenko, O.V, S.L Golovynskyi, S.V Kondratenko, Yu.I Mazur, Zh.M Wang, та G.J Salamo. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot, 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vakulenko, O.V, et al. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika&quot, 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.