Vakulenko, O., Golovynskyi, S., Kondratenko, S., Mazur, Y., Wang, Z., & Salamo, G. (2022). Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika". https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940
Chicago Style (17th ed.) CitationVakulenko, O.V, S.L Golovynskyi, S.V Kondratenko, Yu.I Mazur, Zh.M Wang, and G.J Salamo. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940.
MLA (8th ed.) CitationVakulenko, O.V, et al. Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками. Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.9.940.