Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками

У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2022
Автори: Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
English
Опубліковано: Publishing house "Academperiodika" 2022
Теми:
-
Онлайн доступ:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Репозитарії

Ukrainian Journal of Physics
id ujp2-article-2022030
record_format ojs
spelling ujp2-article-20220302022-02-08T07:42:42Z Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками Effect of Interface Defect States on Photoelectric Properties of InxGa1-xAs/GaAs Heterostructures with Quantum Dots Vakulenko, O.V. Golovynskyi, S.L. Kondratenko, S.V. Mazur, Yu.I. Wang, Zh.M. Salamo, G.J. - - У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової провідності після вимкнення збуджувального випромінювання. Аналіз даних із термостимульованої провідності (ТСП) після збудження оптичним випромінюванням в області поглинання КТ засвідчив такі значення енергетичних рівнів дефектних станів відносно зони провідності GaAs: 0,11 еВ, 0,16 еВ, 0,21 еВ, 0,24 еВ та 0,35 еВ. На дослідах латеральної фотопровідності (ЛФП) виявлено переходи за участю рівнів електронних пасток власних дефектів у GaAs EL2 та EB3. У найпростішому випадку наноструктурного фотопровідника з одним центром прилипання для електронів провідності отримано аналітичнийвигляд кінетики фотоструму, який підтверджено на дослідах зі зразками In0,4Ga0,6As/GaAs. Кінетика фотопровідниківIn0,5Ga0,5As/GaAs дещо складніша і описана лише якісно. Properties of the lateral photocurrent in InxGa1–xAs/GaAs heterostructures with quantum dot (QD) chains at various indiumconcentrations x are investigated. At the interband excitation of QDs by quanta with h\ν = 1.2 eV, the structures have revealed a long-term rise and the relaxation kinetics of the photocurrent as well as the effect of residual conductivity after the exciting radiationis turned off. Analyzing the data on thermostimulated conduction (TSC) after the excitation by optical radiation in the region of QDabsorption, the following energy levels of defect states with respect to the GaAs conduction band were found: 0.11 eV, 0.16 eV, 0.21 eV, 0.24 eV, and 0.35 eV. Investigations of the lateral photoconduction (LPC) made it possible to discover transitions involving the levels of electron traps of EL2 and EB3 GaAs intrinsic defects. In the simplest case of a nanostructured photoconductor with one trapping center, we obtained an analytical expression for the photocurrent kinetics of conduction electrons that was confirmed byexperiments with In0,4Ga0,6As/GaAs samples. The kinetics of In0,5Ga0,5As/GaAs photoconductors is more complex and described only qualitatively. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-08 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030 10.15407/ujpe56.9.940 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 9 (2011); 940 Український фізичний журнал; Том 56 № 9 (2011); 940 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.9 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030/2251 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030/2252
institution Ukrainian Journal of Physics
collection OJS
language Ukrainian
English
topic -
-
spellingShingle -
-
Vakulenko, O.V.
Golovynskyi, S.L.
Kondratenko, S.V.
Mazur, Yu.I.
Wang, Zh.M.
Salamo, G.J.
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
topic_facet -
-
format Article
author Vakulenko, O.V.
Golovynskyi, S.L.
Kondratenko, S.V.
Mazur, Yu.I.
Wang, Zh.M.
Salamo, G.J.
author_facet Vakulenko, O.V.
Golovynskyi, S.L.
Kondratenko, S.V.
Mazur, Yu.I.
Wang, Zh.M.
Salamo, G.J.
author_sort Vakulenko, O.V.
title Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
title_short Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
title_full Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
title_fullStr Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
title_full_unstemmed Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
title_sort вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур inxga1-xas/gaas з квантовими точками
title_alt Effect of Interface Defect States on Photoelectric Properties of InxGa1-xAs/GaAs Heterostructures with Quantum Dots
description У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової провідності після вимкнення збуджувального випромінювання. Аналіз даних із термостимульованої провідності (ТСП) після збудження оптичним випромінюванням в області поглинання КТ засвідчив такі значення енергетичних рівнів дефектних станів відносно зони провідності GaAs: 0,11 еВ, 0,16 еВ, 0,21 еВ, 0,24 еВ та 0,35 еВ. На дослідах латеральної фотопровідності (ЛФП) виявлено переходи за участю рівнів електронних пасток власних дефектів у GaAs EL2 та EB3. У найпростішому випадку наноструктурного фотопровідника з одним центром прилипання для електронів провідності отримано аналітичнийвигляд кінетики фотоструму, який підтверджено на дослідах зі зразками In0,4Ga0,6As/GaAs. Кінетика фотопровідниківIn0,5Ga0,5As/GaAs дещо складніша і описана лише якісно.
publisher Publishing house "Academperiodika"
publishDate 2022
url https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030
work_keys_str_mv AT vakulenkoov vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT golovynskyisl vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT kondratenkosv vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT mazuryui vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT wangzhm vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT salamogj vplivdefektnihstanívínterfejsunafotoelektričnívlastivostígeterostrukturinxga1xasgaaszkvantovimitočkami
AT vakulenkoov effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
AT golovynskyisl effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
AT kondratenkosv effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
AT mazuryui effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
AT wangzhm effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
AT salamogj effectofinterfacedefectstatesonphotoelectricpropertiesofinxga1xasgaasheterostructureswithquantumdots
first_indexed 2023-03-24T09:00:17Z
last_indexed 2023-03-24T09:00:17Z
_version_ 1795757748472774656

Схожі ресурси