2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
У гетероструктурах InxGa1–xAs/GaAs з ланцюгами квантових точок (КТ) з різною концентрацією x індію досліджено властивості латерального фотоструму. При зона-зонному збудженні КТ квантами h\ν = 1,2 еВ структури виявили довготривалу динаміку наростання та релаксації фотоструму, а також ефект залишкової...
Saved in:
Main Authors: | Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J. |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Ukrainian English |
Published: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
Subjects: | |
Online Access: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022030 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022030%22&qt=morelikethis
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T16:49:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Similar Items
-
Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
by: Litovchenko, N. M., et al.
Published: (2018) -
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013) -
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
by: Klimovskaya, A.I., et al.
Published: (2002) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Lytovchenko, et al.
Published: (2013) -
Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2013)