Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn
The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appear...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |