Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn
Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з&...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022077 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20220772022-02-10T18:14:22Z Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn Effect of B, Si and P Co-doping on Electronic Properties of Mn-doped AlN Crystals Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. - - Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з'являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Додаткове легування атомами B, Si та P спричиняє зміну густини електронних станів та значень спінових магнітних моментів на всіх атомах кристала. The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appearance of hybridized energy states with p- and d-symmetry in the forbidden band. The co-doping with B, Si, and P atoms results in a change of the electron state density and the spin magnetic moments on all atoms of the crystal. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 10.15407/ujpe56.6.564 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 6 (2011); 564 Український фізичний журнал; Том 56 № 6 (2011); 564 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.6 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077/2302 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077/2303 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. |
| author_facet |
Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. |
| author_sort |
Syrotyuk, S.V. |
| title |
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_short |
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_full |
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_fullStr |
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_full_unstemmed |
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_sort |
вплив легування атомами b, si та p на електронні властивості кристала aln з домішкою mn |
| title_alt |
Effect of B, Si and P Co-doping on Electronic Properties of Mn-doped AlN Crystals |
| description |
Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з'являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Додаткове легування атомами B, Si та P спричиняє зміну густини електронних станів та значень спінових магнітних моментів на всіх атомах кристала. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| work_keys_str_mv |
AT syrotyuksv vplivleguvannâatomamibsitapnaelektronnívlastivostíkristalaalnzdomíškoûmn AT shvedvm vplivleguvannâatomamibsitapnaelektronnívlastivostíkristalaalnzdomíškoûmn AT syrotyuksv effectofbsiandpcodopingonelectronicpropertiesofmndopedalncrystals AT shvedvm effectofbsiandpcodopingonelectronicpropertiesofmndopedalncrystals |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:27Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:27Z |
| _version_ |
1795757753058197504 |