Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn
The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appear...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська Англійська |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| _version_ | 1863131453131325440 |
|---|---|
| author | Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. |
| author_facet | Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. |
| author_sort | Syrotyuk, S.V. |
| baseUrl_str | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-02-11T15:29:44Z |
| description | The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appearance of hybridized energy states with p- and d-symmetry in the forbidden band. The co-doping with B, Si, and P atoms results in a change of the electron state density and the spin magnetic moments on all atoms of the crystal. |
| doi_str_mv | 10.15407/ujpe56.6.564 |
| first_indexed | 2025-10-02T01:18:24Z |
| format | Article |
| id | ujp2-article-2022077 |
| institution | Ukrainian Journal of Physics |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian English |
| last_indexed | 2025-10-02T01:18:24Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Publishing house "Academperiodika" |
| record_format | ojs |
| spelling | ujp2-article-20220772022-02-11T15:29:44Z Effect of B, Si and P Co-doping on Electronic Properties of Mn-doped AlN Crystals Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. - - The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appearance of hybridized energy states with p- and d-symmetry in the forbidden band. The co-doping with B, Si, and P atoms results in a change of the electron state density and the spin magnetic moments on all atoms of the crystal. Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з'являються гібридизовані енергетичні стани p- і d-симетрії. Додаткове легування атомами B, Si та P спричиняє зміну густини електронних станів та значень спінових магнітних моментів на всіх атомах кристала. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-10 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 10.15407/ujpe56.6.564 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 6 (2011); 564 Український фізичний журнал; Том 56 № 6 (2011); 564 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.6 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077/2302 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077/2303 |
| spellingShingle | - Syrotyuk, S.V. Shved, V.M. Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title | Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_alt | Effect of B, Si and P Co-doping on Electronic Properties of Mn-doped AlN Crystals |
| title_full | Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_fullStr | Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_full_unstemmed | Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_short | Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn |
| title_sort | вплив легування атомами b, si та p на електронні властивості кристала aln з домішкою mn |
| topic | - |
| topic_facet | - - |
| url | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077 |
| work_keys_str_mv | AT syrotyuksv effectofbsiandpcodopingonelectronicpropertiesofmndopedalncrystals AT shvedvm effectofbsiandpcodopingonelectronicpropertiesofmndopedalncrystals AT syrotyuksv vplivleguvannâatomamibsitapnaelektronnívlastivostíkristalaalnzdomíškoûmn AT shvedvm vplivleguvannâatomamibsitapnaelektronnívlastivostíkristalaalnzdomíškoûmn |