Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn

The partial and total electron state densities of Mn-doped AlN crystals co-doped with B, Si, and P atoms are calculated for the up and down orientations of the spin moment. The comparison of the electron state densities of pure and Mn-doped AlN crystals shows that the Mn impurity leads to the appear...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2022
Hauptverfasser: Syrotyuk, S.V., Shved, V.M.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Englisch
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:
-
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics