2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022077%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022077%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn

Вплив легування атомами B, Si та P на електронні властивості кристала AlN з домішкою Mn

Розраховано парціальні й повні густини електронних станів кристала AlN з домішкою Mn, додатково легованого атомами B, Si та P, для орієнтацій спінового моменту вниз і вгору. Порівняння густин електронних станів чистого і легованого Mn кристала AlN показує, що завдяки домішці Mn у забороненій зоні з&...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Syrotyuk, S.V., Shved, V.M.
Format: Article
Language:Ukrainian
English
Published: Publishing house "Academperiodika" 2022
Subjects:
-
Online Access:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022077
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022077%22&qt=morelikethis
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22ujp2-article-2022077%22&qt=morelikethis
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T22:10:14-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items