Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі

We have developed a theoretical model that describes the process of frequency modulation of radiation emitted at the recombination transition between the ground states of an electron and a hole in the InAs/GaAs heterostructure with InAs/GaAs quantum dots, the modulation being induced by an acoustic...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2022
Hauptverfasser: Peleshchak, R.M., Dan’kiv, O.O., Kuzyk, O.V.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
English
Veröffentlicht: Publishing house "Academperiodika" 2022
Schlagworte:
-
Online Zugang:https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022102
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Ukrainian Journal of Physics

Institution

Ukrainian Journal of Physics