Afanasieva, T., Greenchuck, A., Koval’, I., & Nakhodkin, M. (2022). Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001). Publishing house "Academperiodika". https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.352
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Afanasieva, T.V, A.A Greenchuck, I.P Koval’, та M.G Nakhodkin. Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001). Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.352.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Afanasieva, T.V, et al. Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001). Publishing house "Academperiodika", 2022. https://doi.org/10.15407/ujpe56.4.352.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.