Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьо...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian English |
| Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |
Репозитарії
Ukrainian Journal of Physics| id |
ujp2-article-2022103 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
ujp2-article-20221032022-02-14T20:10:14Z Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) Diffusion of Oxygen Atom Into Subsurface Layers of GexSi1-x/Si(001) Interface Afanasieva, T.V. Greenchuck, A.A. Koval’, I.P. Nakhodkin, M.G. - - За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів. Ab initio calculations have been carried out to verify a possibility for an oxygen atom to transit from the bridge bond between the addimer atoms and atoms in the second subsurface layer to the bond between atoms belonging to the second and third subsurface layers of the GexSi1–x/Si(001) interface in the cases where one to three oxygen atoms are adsorbed. Such a transition was found to be unfavorable in the case where pure, Si–Si, and mixed, Si–Ge, addimers are present at the GexSi1–x/Si(001) interface. If only pure Ge–Ge addimers are present at this interface, the diffusion of a single oxygen atom is possible, with the corresponding diffusion barrier being 2.09 eV. Pure Ge–Ge addimers at the GexSi1–x/Si(001) interface favor the oxygen diffusion into the bulk to a greater extent than pure Si–Si and mixed Si–Ge addimers do. Publishing house "Academperiodika" 2022-02-14 Article Article Peer-reviewed Рецензована стаття application/pdf application/pdf https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 10.15407/ujpe56.4.352 Ukrainian Journal of Physics; Vol. 56 No. 4 (2011); 352 Український фізичний журнал; Том 56 № 4 (2011); 352 2071-0194 2071-0186 10.15407/ujpe56.4 uk en https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103/2347 https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103/2348 |
| institution |
Ukrainian Journal of Physics |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian English |
| topic |
- - |
| spellingShingle |
- - Afanasieva, T.V. Greenchuck, A.A. Koval’, I.P. Nakhodkin, M.G. Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| topic_facet |
- - |
| format |
Article |
| author |
Afanasieva, T.V. Greenchuck, A.A. Koval’, I.P. Nakhodkin, M.G. |
| author_facet |
Afanasieva, T.V. Greenchuck, A.A. Koval’, I.P. Nakhodkin, M.G. |
| author_sort |
Afanasieva, T.V. |
| title |
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| title_short |
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| title_full |
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| title_fullStr |
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| title_full_unstemmed |
Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001) |
| title_sort |
дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу gexsi1-x/si(001) |
| title_alt |
Diffusion of Oxygen Atom Into Subsurface Layers of GexSi1-x/Si(001) Interface |
| description |
За допомогою розрахунків з перших принципів перевірено можливість переходу одного атома кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару в зв'язок між атомами другого та третього шарів поверхні GexSi1–x/Si(001) у випадку адсорбції одного, двох та трьох атомів кисню. Перехід кисню з місткового зв'язку між атомами аддимера та атомами другого приповерхневого шару у зв'язок між атомами другого та третього приповерхневого шарів енергетично невигідний, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті Si та змішані Si–Ge аддимери. У випадку, коли на поверхні GexSi1–x/Si(001) присутні чисті аддимери Ge, то можлива лише дифузія поодинокого атома кисню. Бар'єр для такої дифузії становить 2,09 еВ. Присутність чистих аддимерів Ge на поверхні GexSi1–x/Si(001) полегшує дифузію атома кисню в глибину більше, ніж присутність чистих Si або змішаних Si–Ge аддимерів. |
| publisher |
Publishing house "Academperiodika" |
| publishDate |
2022 |
| url |
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2022103 |
| work_keys_str_mv |
AT afanasievatv difuzíâatomakisnûupripoverhnevíšariínterfejsugexsi1xsi001 AT greenchuckaa difuzíâatomakisnûupripoverhnevíšariínterfejsugexsi1xsi001 AT kovalip difuzíâatomakisnûupripoverhnevíšariínterfejsugexsi1xsi001 AT nakhodkinmg difuzíâatomakisnûupripoverhnevíšariínterfejsugexsi1xsi001 AT afanasievatv diffusionofoxygenatomintosubsurfacelayersofgexsi1xsi001interface AT greenchuckaa diffusionofoxygenatomintosubsurfacelayersofgexsi1xsi001interface AT kovalip diffusionofoxygenatomintosubsurfacelayersofgexsi1xsi001interface AT nakhodkinmg diffusionofoxygenatomintosubsurfacelayersofgexsi1xsi001interface |
| first_indexed |
2023-03-24T09:00:34Z |
| last_indexed |
2023-03-24T09:00:34Z |
| _version_ |
1795757755829583872 |